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推荐一系列高性价比MOS
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发表于2017-02-13 12:27:36
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电梯直达
美國福斯特半導體集團(FIRST SEMICONODUCTOR)從事半導體的國際生產廠商及供應商。公司註冊於美國佛羅裏達。工廠設立在泰國,馬來西亞,中國。多年來一直專注於半導體產品研發生產。從晶片到封裝,Firstsemi公司具有強大的科研力量,先進的科研設備,是行業內能提供最全面的半導體產品企業之一。產品主要應用在電源,充電器,UPS,逆變器,小家電,安防,汽車電子,LED照明等領域。 立创商城现推出美国福斯特MOS FIR4N65BPG,FIR7N65FG,FIR12N65FG一系列产品,广泛应用于开关电源,模块电源5瓦,10瓦,15瓦,25瓦,50瓦,75瓦等功率等级。 1. http://www.szlcsc.com/product/details_95881.html 2. http://www.szlcsc.com/product/details_95880.html 3. http://www.szlcsc.com/product/details_95879.html ------------------------------------------------------------------------------------------------- 4. MOS(场效应管)/IPA65R650CE 英飞凌coolmos http://www.szlcsc.com/product/details_95834.html
------------------------------------------------------------------------------------------------- 5. IGBT管/IKW40N120H3 英飞凌IGBT http://www.szlcsc.com/product/details_95835.html q3397226930
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发表于2017-02-13 14:48:53
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发表于2017-02-13 14:49:40
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发表于2017-02-13 14:50:38
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发表于2017-02-13 14:52:59
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发表于2017-02-20 10:24:44
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已经到货了,这三款MOS为极具性价比的美国福斯特品牌
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发表于2017-02-22 22:31:58
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人工置顶一下,好东西就是要共享。
q3397226930
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发表于2017-02-28 08:56:05
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卖的还不错,一般都有现货。如果有大量需求,这款MOS的交期为6天。想下单的朋友,尽管下单吧。
q3397226930
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发表于2017-02-28 09:40:55
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发表于2017-02-28 09:43:43
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发表于2017-02-28 16:54:55
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上一楼为fuji公司关于MOS管的培训资料,讲得比较清晰。可以结合MOS的datasheet一起阅读。
q3397226930
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发表于2017-05-11 08:54:00
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有网友留言,想让我在卖mos的同时,普及一下mos是怎么选型的。 其实mos的设计主要就是基于几对矛盾的选择。 而为了针对不同的应用,适应不同的市场需求,各大小厂家生产出了高低电压、大小电流、高低开关阀值等等林林总总几千上万种型号。立创商城上也是有无穷无尽的mos,到底哪个是你想要的呢? 你是怎么选MOS的? q3397226930
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发表于2017-05-11 10:18:40
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先借图说明datasheet的主要电参数:
q3397226930
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发表于2017-05-11 10:20:33
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问题:有的厂家VGS标了一个浪涌的值,ms级的可以到30V,在实际的设计过程中不知道可以在范围内使用这个电压。
-------------------- 答复: 1、一般在MOSFET的规格书标注Vgss很简洁清晰,如:±20V或±30V,即可以在此范围内使用; 2、Vgss是没有浪涌的概念的,通过的电流是nA量级,只要Vgs到了某个值(一般会比标示高一定数值,各厂家标准不同),即击穿; 3、一般MOSFET从Vgs到达阀值(例如2.5V)开启,到10V左右饱和导通,到15V再向上Rdson的减少已经走缓。在电路设计上,已没太大必要利用此区域; 4、近年在一些如较低工作电压DCDC转换的应用上,有一些低开通阀值(Vth低于1.2V)的需求。我们相应也出过一些低Vgsth的器件,一般是通过栅极氧化膜的薄化来实现,这同时会降低了Vgss。选用这些类型的MOS器件时须看清Datasheet。 q3397226930
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发表于2017-05-11 10:21:46
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再补充一张图: q3397226930
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发表于2017-05-11 10:22:45
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发表于2017-05-11 10:24:32
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发表于2017-05-11 10:30:26
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q3397226930
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发表于2017-05-11 10:30:46
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发表于2017-05-11 10:40:41
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发表于2017-05-11 11:08:05
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在充分发挥MOSFET寄生二极管的反向特性的电机驱动或开关电源同步整流的应用中,要求此反响恢复时间trr为高速。在这些应用中,由于当电路运行在trr期间时上桥臂/下桥臂短路,导致产生过大的接通损耗。因此,通常在这些应用的控制电路中,需要设计有在切换上/下器件开关的同时是栅极驱动信号断开的Dead Time(比trr长的时间)。 同时,恢复时(上图的tb时段)的di/dt曲线越陡,越容易产生噪音。因此要求软恢复特性。另外应留意,trr会随着温度的上升会增大。 在同样的工艺下,不同耐压BV的器件trr有很大不同。BV为60V以下的低耐压时,trr为40~60 ns,速度较高;BV为100V级别时,trr为100 ns左右;BV在250V~500V的高耐压时,trr的值到了300~600 ns,较慢。因此,为这方面应用的高耐压器件,会有一些相应的工艺设计改动,开发在BV250V以上时trr在100 ns左右的高速产品。q3397226930
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发表于2017-05-11 11:21:44
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q3397226930
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发表于2017-05-11 11:26:51
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举个实际例子:
q3397226930
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发表于2017-05-11 11:29:31
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q3397226930
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发表于2017-05-11 11:34:33
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26#
理解MOSFET的安全工作区域中需要了解的: 1、MOS的击穿本质是“热”击穿(或,能量击穿)。 与此理解相对的是“电压击穿”、“电流击穿”。其实,若在脉宽足够窄,不足以聚集到击穿能量,MOS的耐受电压或电流是能够突破额定耐压值或额定最大电流的;或者,聚集的能量(热量)能快速地分散走,MOS的耐受电压或电流也是能够扩展的。(这也是研究封装工艺的意义所在!) 这一点,放在ASO来理解,可看回我公司SD3846dfn的图,在不同脉宽(10ms、1ms、100us、10us)的工作电流下,MOS的安全工作区域是向上拓宽的。 2、很多MOSFET Datasheet中的Idp或Id大多是估算值。 查阅Datasheet的Idp或Id,常常看得到的注述是:“Pulse width limited by safe operating area.”(脉宽限于安全区域)或“Current limited by package”(受限于封装)。 q3397226930
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发表于2017-05-11 11:42:51
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电源老顽童
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发表于2017-05-14 06:58:44
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顶起来,学习了,写得很不错。有现货的高性价比美国mos。
传播与分享电源知识
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发表于2017-05-17 14:03:45
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里面有不少技术帖子,欢迎多来顶帖。
q3397226930
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发表于2017-05-17 15:27:02
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赶紧地用国际品牌物料。。。 q3397226930
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syz0809
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发表于2018-11-20 08:40:02
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6年老客户
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发表于2019-11-10 07:48:58
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云中老雕
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发表于2020-07-16 15:31:16
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需要抗雷击怎么选择MOS管?
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