• 嵌入式STT-MRAM效应与流致反转
• 最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有确定的磁场方向，它的磁矩在这里被称为“自旋转移力矩”或简称“自旋转矩”，即前面提到的STT。自旋极化电子流可以代替电磁线圈使微磁粒的磁场方向发生反转，因此这种方式也被称为流致反转。STT可视为相反于巨磁阻的效应，显示的是电流通过多层膜结构后改变多层膜的磁化特性。当具高密度的自旋极化电流通过铁磁金属，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,SRAM,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-03 14:37:00

• STT结构涡轮增压MRAM
• 新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM的密度和零泄漏能力。该结构可以应用于移动，数据中心CPU和存储，汽车，物联网和（IoT）以及人工智能等领域。PSC结构将使任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。这意味着它不仅具有更高的数据保留能力，而且将消耗更少的电量。Pinarbasi说，增益转化为保留时间延长了10,000倍以上，因此一小时变成一年以上，但是写入电流却减少了。此外，随着垂直磁隧道结（pMTJ）变小，PSC的效率更高。开...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-13 14:36:00

• ISI的晶圆级MRAM测试仪
• MRAM正在开发支持人工智能、物联网和先进网络技术的下一代嵌入式设备；在数据中心、边缘和端点。此外独立MRAM已经成为许多应用的重要非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用提供MRAM需要在生产环境中进行良好的MTJ设计和测试。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的，为汽车、工业和军事。云存储等行业等提供了大量可靠优质的MRAM，STT-MRAM存储芯片。Everspin一级代理商接下来介绍EverspinMRAM器件的测试。ISI在MTJ器件的设计和工厂测试方面拥有长期经验，能够满足MRAM的开发和生产测试需求。他们也在创造新的测试和生产工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM测试仪,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-17 14:08:00

• 当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性
• Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。为云存储，能源，工业，汽车和运输市场提供了上亿只MRAM和STT-MRAM存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。ToggleMRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。图1内存制造过程由于器件架构相对复杂，因此EverspinMRAM的生产过程分为多个阶段，在CMOS背板的顶部...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-13 11:34:00

• 新型存储器与传统存储器介质特性对比
• 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NANDFlash，还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。在非易失性MRAM存储器方面，EverspinMRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1GbST-MRAM产品。...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： MRAM,Everspin,Everspin MRAM,Everspin STT-MRAM 1Gb 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-24 16:21:00

• STT-MRAM高密度低能耗技术
• STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了带磁性外壳的附加写信息线，最大限度地减少了制备工艺程序，并使存储单元的横截面积减小、存储密度高、存储速度快，满足高性能计算机系统的设计要求。研究人员建议用反铁磁材料制造STT-MRAM器件-与目前使用的铁磁材料相反。研究人员说这些材料将使高密度器件能够以低电流实现高速写入。反铁磁性材料在微观尺度上有磁性，但在宏观尺度上却没有。这意味着用这些材料制成的MRAM单元的相邻位之间没有磁力-这意味着您可以将它们非常紧密地包装在一起。研究人员还证明，电流可用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,STT-MRAM技术,低能耗MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-05 14:56:00

• EversipnSTT-MRAM的MJT细胞
• 业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。图1.STT-MRAM的MJT细胞Everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式STT-MRAM，它分为两个市场，嵌入式闪存替代和缓存。STT-MRAM是具有磁隧道结（MTJ）存储器单元的单晶体管架构。它利用电子自旋的磁性在芯片中提供非挥发性特性。写入和读取功能在MTJ单元中共享相同的并行路径。为此STT-MRAM正准备取代嵌入式NOR闪存芯片。此外，STT-MRAM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,Eversipn 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-04 14:42:00

• 到2029年MRAM收入将增长170倍
• 一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。下一代内存技术的增长将主要由取代效率较低的内存技术（例如NOR闪存和SRAM）推动。MRAM容量出货量预测（2017-2029，Coughlin）分析人士预计，包括DRAM，3DXpoint和NAND在内的许多存储技术将在未来几年内增长，但增长最快的将是MRAM存储器。容量方面的出货量预计将从2019年的约0.1PB增长到2029年的近100PB。对MRAM存储器的巨大需求将刺激设备支出的稳步增长。预计MRAM设备市场将从2018年的2600万美元增长到2029年的854...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,STT-MRAM,MRAM市场 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-16 16:08:00

• 企业SSD中everspin的DDR3STT-MRAM
• 随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的需求，从而以固定的形式减少存储阵列的可用空间。这些下一代设备还将需要新功能，包括高级CMB缓冲，在线加密，重复数据删除和压缩。使用everspin自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）和...
• 所属专栏： 技术交流 标签： DDR3 STT-MRAM,everspin,STT-MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-13 14:15:00

• everspin展示28nm单机1GbSTT-MRAM芯片
• Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者，向市场展示了其28nm单机1GbSTT-MRAM芯片。everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。本文主要介绍描述了图1所示的具有28nmCMOS的1Gb1.2VDDR4STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。图1.Everspin40nm1.5nmDDR3256Mb（顶部）和1.2VD...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,1Gb STT-MRAM芯片,STT-MRAM芯片 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-08 16:34:00