看到一遍长编大论公式一堆的贴，没看懂。

想确认下，是否如下简单选择即可：

晶体频率确定后，比如8M，采购晶体时候发现有负载电容参数，有些12p，有些18p，20p等等

是不是晶体旁边2个电容选择对应容量即可，

比如W5500这个IC 的25M晶体，我买了负载电容12P的，那么我焊接2个12P电容在晶体两旁，是不是表示最合适。

或者STM32这个芯片用了8M晶体20P负载电容的，到时候焊接2个20P电容，就最佳匹配，是否这样

如果是这样，那么就很好买，很好用，如果不是，那么请大神总结个帖子，列一下常用晶体负载电容，该配搭何种容量电容

这样大家看到表格来买料，就可以避免晶体方面的问题。

这就是我说的长编大论，看完更晕，

其实只要罗列一个表格，晶体负载电容参数跟选择的2个实际焊接的电容容量，应该可以得到一个表格，大家看着选用就差不多了，

此表格一目了然，只是我没理解，整理不出来，

C1=C2我见过的大家都是这样用。

比如，

8m负载电容12p，旁边焊接2个12P电容，

就是想要这种表格，收藏受用一生。

实际一般C1=C2，所以串联电容等于他们一半，再加离散电容，那么可以大概估计如下

负载电容CL=C/2+离散，        C=（CL-离散）*2

离散电容不容易确认，不知道3P是否合适，

负载电容12p，离散3p，C=18p    

负载电容18p，离散3p，C=30p