看到一遍长编大论公式一堆的贴，没看懂。

想确认下，是否如下简单选择即可：

晶体频率确定后，比如8M，采购晶体时候发现有负载电容参数，有些12p，有些18p，20p等等

是不是晶体旁边2个电容选择对应容量即可，

比如W5500这个IC 的25M晶体，我买了负载电容12P的，那么我焊接2个12P电容在晶体两旁，是不是表示最合适。

或者STM32这个芯片用了8M晶体20P负载电容的，到时候焊接2个20P电容，就最佳匹配，是否这样

如果是这样，那么就很好买，很好用，如果不是，那么请大神总结个帖子，列一下常用晶体负载电容，该配搭何种容量电容

这样大家看到表格来买料，就可以避免晶体方面的问题。

http://club.szlcsc.com/article/details_3170_1.html

您可以看看这个帖子

这就是我说的长编大论，看完更晕，

其实只要罗列一个表格，晶体负载电容参数跟选择的2个实际焊接的电容容量，应该可以得到一个表格，大家看着选用就差不多了，

此表格一目了然，只是我没理解，整理不出来，

C1=C2我见过的大家都是这样用。

比如，

8m负载电容12p，旁边焊接2个12P电容，

就是想要这种表格，收藏受用一生。

就因为不是这么简单，所以才没法列一张表，只能长篇大论。

反正我的是从不用电容，也就不用选得头疼。

12p的晶振就选（12-3）×2≈20p负载电容

20p的晶振就选（20-3）×2≈25p负载电容

这样还行吧，但是确实会有偶尔和电路、IC不匹配无法正常起振的情况发生，这时候查错过程中往往觉得晶振电路没问题而忽略这里，浪费了大量时间，所以遇到问题之后要优先考虑负载电容选取是否恰当

与一个晶振供应商聊过这个问题，不是按晶振规格书给的负载电容容值直接照搬，但是我想的话多数的公司或者工程师都是照搬这样做的，而没有出问题就OK。

供应商说的意思好象是这样：规格书给的负载电容值是指IC晶振引脚的PCB实物的外围分布电容和IC内部的分布电容综合总电容。可能是理解为总的环境电容并联值吧。所以，实际用的容值应该是小于规格书上的值。

我也希望有大虾能给出正确答案。

负载电容匹配

1.于振荡电路产生的振荡回路来看，不同的负载电容会有不同程度频率飘移，因此设计时必须针对产品实际的负载电容做量测以确定是否与当初设计规格一致
2.理论值负载电容计算方式如下,由C51 C52计算串联电容后加上离散电容等于实际的负载电容，杂散电容内含PCB Layout、芯片电极等等因素造成.
         CL = C51 * C52 / (C51 + C52) + C0 + Cs;
         Note: Cs refers to on board stray capacitance.

实际一般C1=C2，所以串联电容等于他们一半，再加离散电容，那么可以大概估计如下

负载电容CL=C/2+离散，        C=（CL-离散）*2

离散电容不容易确认，不知道3P是否合适，

负载电容12p，离散3p，C=18p    

负载电容18p，离散3p，C=30p    

立创论坛中就有相关讲解，还有公式。

http://club.szlcsc.com/article/details_3170_0.html