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晶体旁2个电容该如何选择
let
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发表于2018-02-07 16:21:08 | 显示全部楼层
1# 电梯直达

看到一遍长编大论公式一堆的贴,没看懂。


想确认下,是否如下简单选择即可:

晶体频率确定后,比如8M,采购晶体时候发现有负载电容参数,有些12p,有些18p,20p等等

是不是晶体旁边2个电容选择对应容量即可,


比如W5500这个IC 的25M晶体,我买了负载电容12P的,那么我焊接2个12P电容在晶体两旁,是不是表示最合适。


或者STM32这个芯片用了8M晶体20P负载电容的,到时候焊接2个20P电容,就最佳匹配,是否这样

如果是这样,那么就很好买,很好用,如果不是,那么请大神总结个帖子,列一下常用晶体负载电容,该配搭何种容量电容

这样大家看到表格来买料,就可以避免晶体方面的问题。

SMT从业员,需要可联系。
杯吹的恩吉尼
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发表于2018-02-08 08:54:38   |  显示全部楼层
6#

与一个晶振供应商聊过这个问题,不是按晶振规格书给的负载电容容值直接照搬,但是我想的话多数的公司或者工程师都是照搬这样做的,而没有出问题就OK。

供应商说的意思好象是这样:规格书给的负载电容值是指IC晶振引脚的PCB实物的外围分布电容和IC内部的分布电容综合总电容。可能是理解为总的环境电容并联值吧。所以,实际用的容值应该是小于规格书上的值。

我也希望有大虾能给出正确答案。

杯吹的恩吉尼
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发表于2018-02-09 15:10:26   |  显示全部楼层
9#

立创论坛中就有相关讲解,还有公式。

http://club.szlcsc.com/article/details_3170_0.html


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