MB85R2001是一种富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术创建。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R2001中使用的存储单元可用于1010次读/写操作，与Flash存储器 和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。

富士通的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存储器，具有高速数据写入，低功耗和提供大量写入周期的能力。

框图

MB85R2001和MB85R2002 FRAM芯片是汽车导航系统，多功能打印机，测量仪器和其他高级应用的理想选择，这些应用可以使用非易失性存储器来存储各种参数，记录设备的运行状况并保存安全信息。

MB85R2001的配置为256K字x 8位，而MB85R2002的配置为128K字x 16位。MB85R2001和MB85R2002均具有100ns的读取访问时间和150ns的读/写周期时间。MB85R2001和MB85R2002的工作电压为3V至3.6V。富士通代理商提供技术支持及解决方案。