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汽车导航系统应用富士通FRAM铁电存储器MB85R2001
是酒窝啊
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发表于2020-06-28 16:19:26 | 只看该作者
1# 电梯直达

MB85R2001是一种富士通FRAM芯片,由262,144字×8位非易失性存储单元组成,这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术创建。能够保留数据,而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R2001中使用的存储单元可用于1010次读/写操作,与Flash存储器 和E2PROM支持的读和写操作数量相比,有了显着改进。使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。

  

富士通的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存储器,具有高速数据写入,低功耗和提供大量写入周期的能力。


框图


 

MB85R2001和MB85R2002 FRAM芯片是汽车导航系统,多功能打印机,测量仪器和其他高级应用的理想选择,这些应用可以使用非易失性存储器来存储各种参数,记录设备的运行状况并保存安全信息。


MB85R2001的配置为256K字x 8位,而MB85R2002的配置为128K字x 16位。MB85R2001和MB85R2002均具有100ns的读取访问时间和150ns的读/写周期时间。MB85R2001和MB85R2002的工作电压为3V至3.6V。富士通代理商提供技术支持及解决方案。

宇芯电子主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品,189-2655-4009
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发表于2020-06-28 16:20:49   |  只看该作者
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MB85R2001和MB85R2002 FRAM芯片是汽车导航系统,多功能打印机,测量仪器和其他高级应用的理想选择,这些应用可以使用非易失性存储器来存储各种参数,记录设备的运行状况并保存安全信息。
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发表于2020-06-28 16:21:13   |  只看该作者
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MB85R2001的配置为256K字x 8位,而MB85R2002的配置为128K字x 16位。MB85R2001和MB85R2002均具有100ns的读取访问时间和150ns的读/写周期时间。MB85R2001和MB85R2002的工作电压为3V至3.6V。富士通代理商宇芯电子提供技术支持及解决方案。
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