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SI24R2E升级版SI24R2H内置125K低频唤醒2.4G单发芯片
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发表于2020-08-06 17:05:35 | 显示全部楼层
1# 电梯直达

据以上抬头所述,相信大家都对这款有源RFID首款内置125KHz的这芯片很感兴趣,但是今天在介绍这款芯片前,需要大家先属于我司前两代的SI24R2E/SI24R2F芯片,因为SI24R2H是在原有的产品上做迭代升级而来

更新情况:

1.Si24R2H在Si24R2F的基础上增加了Si3933的125KHz低频唤醒功能。

2.烧录与Si24R2E一样,都是通过上位机直接配置,无需编程。

3.Si24R2H可以外接NTC热敏电阻采集温度,偏差值±0.5℃。

4.最大发射功率12dBm,睡眠电流300nA(2.4G部分)

5.小尺寸 5*5 QFN32封装

SI24R2H功能简述:

· 工作在 2.45GHz ISM 频段

· 内置 多次可编程 NVM 存储器

· 具有超低功耗自动发射功能

· 自动发射模式下,支持 多个不同信道发射

· 支持发射数据加密

· 支持按键发射功能

· 具有低电压自动报警功能

· 集成温度监测和报警功能

· 具有防拆卸报警功能

· 集成防冲突通信机制

· 3.3V 编程电压

· 调制方式:GFSK

· 数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps

· 超低关断电流:400nA

· 超低待机电流:22uA

· 快速启动时间: ≤ 130uS

· 宽电源电压范围:1.9-3.6V

· 宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V

· 低成本晶振:16MHz±60ppm

· 最高发射功率:12dBm

· 发射电流: 16.8mA(0dBm)

· 最高 10MHz 四线 SPI 接口· 发射数据硬件中断输出

· QFN32封装

· 替换 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 发射功能

对有源RFID学校领域局势有着重大的突破性的作用,有想进一步了解的可进一步联系博主


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