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SI24R2E升级版SI24R2H内置125K低频唤醒2.4G单发芯片
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动能1234
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发表于2020-08-06 17:05:35
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电梯直达
据以上抬头所述,相信大家都对这款有源RFID首款内置125KHz的这芯片很感兴趣,但是今天在介绍这款芯片前,需要大家先属于我司前两代的SI24R2E/SI24R2F芯片,因为SI24R2H是在原有的产品上做迭代升级而来 更新情况: 1.Si24R2H在Si24R2F的基础上增加了Si3933的125KHz低频唤醒功能。 2.烧录与Si24R2E一样,都是通过上位机直接配置,无需编程。 3.Si24R2H可以外接NTC热敏电阻采集温度,偏差值±0.5℃。 4.最大发射功率12dBm,睡眠电流300nA(2.4G部分) 5.小尺寸 5*5 QFN32封装 SI24R2H功能简述: · 工作在 2.45GHz ISM 频段 · 内置 多次可编程 NVM 存储器 · 具有超低功耗自动发射功能 · 自动发射模式下,支持 多个不同信道发射 · 支持发射数据加密 · 支持按键发射功能 · 具有低电压自动报警功能 · 集成温度监测和报警功能 · 具有防拆卸报警功能 · 集成防冲突通信机制 · 3.3V 编程电压 · 调制方式:GFSK · 数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps · 超低关断电流:400nA · 超低待机电流:22uA · 快速启动时间: ≤ 130uS · 宽电源电压范围:1.9-3.6V · 宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V · 低成本晶振:16MHz±60ppm · 最高发射功率:12dBm · 发射电流: 16.8mA(0dBm) · 最高 10MHz 四线 SPI 接口· 发射数据硬件中断输出 · QFN32封装 · 替换 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 发射功能 对有源RFID学校领域局势有着重大的突破性的作用,有想进一步了解的可进一步联系博主 |
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