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SI2308BDS-T1-GE3 三极管功率场效应管供应
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发表于2020-09-24 14:33:06
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电梯直达
技术参数 品牌:VISHAY/威世通型号:SI2308BDS-T1-GE3批号:19+封装:SOT-23数量:12078QQ:2355239042制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:2.3 ARds On-漏源导通电阻:156 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:10 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷:6.8 n最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:1.66 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:TrenchFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:SI2晶体管类型:1 N-Channel商标:Vishay Semiconductors正向跨导 - 最小值:5 S下降时间:7 ns产品类型:MOSFET上升时间:10 ns工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:10 ns典型接通延迟时间:4 ns零件号别名:SI2308BDS-GE3单位重量:8 mg |
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