技术参数

品牌：VISHAY/威世通型号：SI2308BDS-T1-GE3批号：19+封装：SOT-23数量：12078QQ：2355239042制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SOT-23-3通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：60 VId-连续漏极电流：2.3 ARds On-漏源导通电阻：156 mOhmsVgs - 栅极-源极电压：10 VVgs th-栅源极阈值电压：1 VQg-栅极电荷：6.8 n最小工作温度：- 55 C最大工作温度：+ 150 CPd-功率耗散：1.66 W配置：Single通道模式：Enhancement商标名：TrenchFET封装：Cut Tape封装：MouseReel封装：Reel系列：SI2晶体管类型：1 N-Channel商标：Vishay Semiconductors正向跨导 - 最小值：5 S下降时间：7 ns产品类型：MOSFET上升时间：10 ns工厂包装数量：3000子类别：MOSFETs典型关闭延迟时间：10 ns典型接通延迟时间：4 ns零件号别名：SI2308BDS-GE3单位重量：8 mg