根据Omdia的数据，2020年全球功率MOSFET的市场规模为81亿美元，在新能源汽车，工业控制、5G通讯等市场需求的加持下，全球增速将保持高速增长，预测在2025年将达到118.47亿美元。

MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是功率半导体的基础器件。

从汽车电子的应用场景看，MOSFET是汽车电子中的核心元件，汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制，都离不开MOSFET。相比较于燃油汽车而言，新能源汽车的智能化、电动化的发展，加快了市场对MOSFET需求的进程，比如DC/DC的高压MOSFET、OBC中的超级结MOSFET等需求激增，以满足实际运行中，对工作电流和电压的更高要求。

MDD辰达半导体凭借多年的行业经验与技术积累，在夯实二极管、三极管、整流桥的产品基础上，积极布局MOSFET系列产品，从产品规划、质量、工艺等方面取得重大突破。目前MDD面向汽车电子、电源、工控、消费电子等应用场景，推出三种工艺MOSFET系列产品，为客户提供高可靠、高性能的解决方案。

Planar MOSFET

采用业界最新的平面技术设计制造而成，具有低导通损耗，高雪崩能量，高可靠性，更好的EMI兼容性等特点。高压平面MOSFET产品涵盖500V-700V系列电压范围，如MDD7N65D，MDD20N50P，MDD12N65F等可满足各种电源系统的需求（主要照明驱动、适配器）。

Trench MOSFET

采用先进的Trench技术设计制造而成，产品具有抗冲击能力强，高雪崩能力，高可靠性等特点。该系列产品涵盖N/P 20V~120v电压范围，如MDD2301，MDD15N10D，MDD2306等针对不同应用领域对器件性能的需求特点采用不同的设计方案，是器件在各个应用场合性能最佳。可广泛应用消费类电子通用器件，小电流等。

SGT MOSFET

采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT系列MOSFET产品涵盖30V~150V，如MDDG04R1P9G，MDDG10R08P，MDDG10R08D可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

深圳辰达行电子有限公司（简称MDD辰达半导体）是一家专注于半导体功率器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域15载，始终坚持以产品技术为驱动，以客户需求为核心，打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵，产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域，服务于全球40多个国家与地区。

公司秉持与时俱进的发展理念，基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力，持续关注前沿技术及应用领域发展趋势，全面推动产品升级迭代，提高功率器件产业化及服务闭环的能力，为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

展望未来，公司将依托行业洞察的能力，通过品牌与技术双轮驱动，快速实现“成为国际半导体功率器件的一线品牌”的发展愿景，助力中国半导体产业升级。