MDD品牌MOS管广泛应用于汽车电子、光伏新能源、电动工具、移动电源、逆变器、工控等行业。中低压mos管需求相对较多，按电压分类可分为中低压mos管和高压mos管，中低压mos管电压在1V~400V左右，高压mos管电压在400V~1000V左右。

MDD品牌中低压MOS芯片采用沟槽（Trench）或深沟槽（SGT）工艺。栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。导通电阻较小，RDS(ON）可达1mΩ以下，功耗小。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强。

中低压MOS在快充电源中同步整流应用案例：

快充电源的初级部分，和一般充电品适配器的初组基本一致，但在输出端增加了同步整流、电池检测和充放电保护等电路，当检测到电池电压未低于充电启动值，即使电池未充满，快充将停止对电池充电，对电池的使用寿命起到保护作用。

MOSFET规格书下载：MDD50N06D TO-252 220623.pdf