• 中低压MOS管有哪些特点？
• MDD品牌MOS管广泛应用于汽车电子、光伏新能源、电动工具、移动电源、逆变器、工控等行业。中低压mos管需求相对较多，按电压分类可分为中低压mos管和高压mos管，中低压mos管电压在1V~400V左右，高压mos管电压在400V~1000V左右。MDD品牌中低压MOS芯片采用沟槽（Trench）或深沟槽（SGT）工艺。栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。导通电阻较小，RDS(ON）可达1mΩ以下，功耗小。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强。中低压MOS在快充电源中同步整流应用案例：快充电源的初级部分，和一般充电品适配器的初组基本一致，但在输出端增加了同步整流、电池检测和充放电保护等电路，...
• 所属专栏： 器件替换 标签： MOSFET，新能源，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-05-19 10:12:00

• MDD推出MOSFET系列产品，助力汽车电子等行业发展
• 根据Omdia的数据，2020年全球功率MOSFET的市场规模为81亿美元，在新能源汽车，工业控制、5G通讯等市场需求的加持下，全球增速将保持高速增长，预测在2025年将达到118.47亿美元。MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是功率半导体的基础器件。从汽车电子的应用场景看，MOSFET是汽车电子中的核心元件，汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制，都离不开MOSFET。相比较于燃油汽车而言，新能源汽车的智能化、电动化的发展，加快了市场对MOSFET需求的进程，比如D...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 功率器件，MOSFET，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-05-12 10:08:00

• 检测MDD功率MOS管的方法以下几点：
• 1．如何判定栅极G  将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。  2．如何判定源极S、漏极D  在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。  3．如何测量漏-源通态电阻RDS（on）  将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中...
• 所属专栏： 器件替换 标签： MOSFET，功率器件，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-03-20 11:09:00

• 怎么快速修改自建库里的元件？
• 怎么打开自己建立的元件库？想改动其中的元件，现在只能通过拖到原理图里再修改？还有想删除自己库里的某个元件要怎么操作？
• 所属专栏： 原理图设计 标签： 只能新建新的元件吗？ 发帖人：延续信念 发帖时间：2022-12-31 14:23:00

• PL3902SOT2330VN通道MOSFET
• 一般说明PL3902采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作，栅极电压低至2.5V。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。产品概览Vos30Vlo(atVas=10V)4ARs(ON)(atVas=10V)<52mQRs(ON)(atVas=4.5V)<65mQRDs(oN(atVas=2.5V)<85mQ规格书：PL3902规格书.pdf预览
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： PL3902 N通道MOSFET 发帖人：百盛电子 发帖时间：2022-09-22 13:16:00

• 从PCB更新到原理图功能，后序版本考虑增加一下吗？
• 从ad导入的原理图和PCB总是对应不起来，主要是原理图中元件的封装信息没有，需要重新添加封装
• 所属专栏： 技术交流 标签： 新功能添加 PCB更新原理图 发帖人：花非花123 发帖时间：2022-05-13 22:30:00

• SI8233X兼容品Pai8233B/C双通道隔离驱动汽车新能源隔离式DC-DC电源解决方案
• 荣湃公司的pai8233B/C是4A和8A隔离驱动器,是一款为双通道隔离型基于iDivider®技术的2Pai半自动门驱动器驱动器最大工作电压为25V.这是合适的用于MOSFET、IGBT和SiCMOSFET的栅极驱动。输入侧与两个输出侧通过一个可承受5kVRMS隔离电压的隔离栅，以及典型的共模瞬态抗扰度（CMTI）容量为100kV/us。内部功能隔离两个辅助侧驱动器之间允许最大工作电压为1500VDC。每个驱动器可配置为两个低压侧驱动器，两个高压侧驱动器，或带可编程控制器的半桥驱动器死区时间（DT）。禁用引脚关闭两个输出同时，当其设置为高并允许正常操作时当保持开路或接地时。作为一种故障安全...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SI8233X Pai8233B Pai8233C 汽车新能源 电机控制 发帖人：Hany 发帖时间：2021-12-22 17:30:00

• B1D031203A1200VBasic碳化硅肖特基二极管应用于新能源电动汽车
• 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。（第三代半导体行业领军企业，率先掌握国际领先的碳化硅肖特基二极管，1200V碳化硅MOSFET，车规级碳化硅模块等）产品广泛应用于：电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域，新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC电源等领域有广...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 1200V Basic 碳化硅 MOSFET 发帖人：TR8808 发帖时间：2021-10-29 17:04:00

• mosfet管（场效应管）惠海半导体50N0630N06【小体积散热好】
• MOS管型号：HG012N06L参数：60V50A（50N06）内阻：11mR（VGS=10V）结电容：550pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等【惠海MOS管常规型号】17N0630N0650N0670N0350N0330N035N1010N1017N1025N103400【惠海半导体直销】30V60V100Vmos管3A5A10A15A25A30A50A贴片mos管SOT23封装TO-252SOP-8DFN3*3封装mos管
• 所属专栏： 供应商专区 标签： MOSFET MOS管 50N06 30N06 发帖人：用芯出发3 发帖时间：2021-05-24 15:07:00

• 扬杰科技发布N40-150VSGT功率MOSFET新品，全面提升开关和导通特性，可应用于电机驱动等...
• 图片
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 扬杰科技 SGT MOSFET 发帖人：扬杰科技 发帖时间：2020-11-26 14:51:00