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电梯直达
说说我做的无刷马达驱动吧，公司要求做无刷驱动，买了150W的无刷电机，初步估计也用不了满功率，只是尺寸符合，就先做了。对于硬件要做到什么程度不知道，没有指定要多少功率。在做堵转实验时发现很容易烧毁MOS，后来需要实实在在驱动200W功率。选择了NCE40H12K（N沟道），RDS(ON) <4.0m? @ VGS=10V，堵转大电流时发热非常低。而价格不贵（批量1.21元/pcs）。比其他的进口TI；IRF；ST；AOS的好很多。国产新洁能，不用担心有假货。还支持中国制造。用过都说好。可以代换IRF1404SPBF，
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What MOS driver are you using?
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Do you have a circuit baord schematic and picture?
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多方查阅，40V，TO-252封装，内阻4mR很难有，这个性价比无与伦比。
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MOS驱动/NCP5106BDR2G 编带完全代替IR2101S；而且开关输的比IR2101更加快速，有效降低MOS的发热和有效的提高效率。且看此指标IR2101的on/off (typ.) 160 & 150 ns，NCP5106BDR2G的on/off (typ.) 100 & 100 ns,；提高速度50%或者以上。只有速度更加快才可以减少MOS在放大区的时间，所以才能提高效率。价格也非常给力。而且是ON（安森美）大品牌噢。销售地址：http://www.szlcsc.com/so/product/details_68963.html |
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最近贸易战越打越厉害；大家多多支持国产，品质好，还不贵。实业公司发展了，对民族有重大贡献。
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您说的这个性质应该比较tr和tf。不过这个确实也还是NCP5106BDR2G的手册上更快一点。
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是的，MOS的G极上升时间越短，那么进入放大区的时间越少；对应的放大区是很严重的功率消耗的。所以要尽量降低进入放大区的时间。上升和下降时间就是很重要的。这个NCP5106B是有很大优势的。
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楼主还知道有哪些型号的N沟场管，内阻很低，电压在200V---300V左右的吗？
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发表于2018-01-02 14:51:14
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