本方案基于，GD32E231C8T6 Cortex®-M23内核的MCU为主控；输出400KHzPWM波形，用于驱动MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。

       二、GD32 MCU产品的介绍

64KB FLASH

8KB SRAM

高达72MHZ运算主频

2个串行外设接口（SPI）

2个I2C

1个I2S

2个通用同步异步收发器（USART）

1个高速轨到轨输入/输出模拟电压比较器(COMP)

2个高增益轨到轨运放(OPA)

1个12位2.6M SPS采样率的高性能模数转换器(ADC)

5个16位通用定时器，多达20路PWM输出

1个支持三相脉宽调制PWM输出和霍尔采集接口的16位高级矢量控制定时器

1个16位基本定时器和1个多通道DMA控制器

       三、方案介绍

四、照片实例和功能的实现