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everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途
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发表于2019-12-31 14:32:09
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电梯直达
everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途 与电子电荷存储的数据可能会因使用情况,时间和温度而泄漏和击穿的相反,MRAM(磁性随机存取存储器)使用1个晶体管–1个磁性隧道结(MTJ)体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态,因此与现有的非易失性存储器相比,它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比,MRAM的优势在于: •像不挥发一样闪烁 •无编程/擦除周期(最快的写入周期) •快速的SRAM接口 •对称的读/写周期 •字节寻址能力 •并行(x16)接口的35ns/2Bytes •带有串行接口的0.4us/2bytes(使用工作在40MHz的SPI接口) •无限耐力(无限使用) •长期保留数据(高温下超过20年) 带有动力总成微控制器演示的MRAM 团队(以及迄今为止的行业)面临的挑战之一是,这些新的内存技术(例如mram(目前已嵌入到某些处理器中))尚未嵌入动力总成芯片中。因此,在此演示中,团队采用了一种离散的“处理器外”解决方案。在此演示中,团队设计了MRAM评估板以与Powertrain微控制器母板接口。开发了新的低级驱动器(LLD),以取代动力总成芯片供应商提供的LLD。在本演示中,新修订的LLD用于验证串行/并行MRAM协议,不同模式下的读/写操作以及时序周期要求(通过在具有各种时钟频率的原型板上运行应用程序)。 |
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发表于2020-01-02 14:52:38
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MRAM的优势在于: •像不挥发一样闪烁 •无编程/擦除周期(最快的写入周期) •快速的SRAM接口 •对称的读/写周期 •字节寻址能力 •并行(x16)接口的35ns/2Bytes •带有串行接口的0.4us/2bytes(使用工作在40MHz的SPI接口) •无限耐力(无限使用) •长期保留数据(高温下超过20年) |
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