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​​everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途
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发表于2019-12-31 14:32:09 | 只看该作者
1# 电梯直达

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

与电子电荷存储的数据可能会因使用情况,时间和温度而泄漏和击穿的相反,MRAM(磁性随机存取存储器)使用1个晶体管–1个磁性隧道结(MTJ)体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态,因此与现有的非易失性存储器相比,它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比,MRAM的优势在于:

•像不挥发一样闪烁

•无编程/擦除周期(最快的写入周期)

•快速的SRAM接口

•对称的读/写周期

•字节寻址能力

•并行(x16)接口的35ns/2Bytes

•带有串行接口的0.4us/2bytes(使用工作在40MHz的SPI接口)

•无限耐力(无限使用)

•长期保留数据(高温下超过20年)


带有动力总成微控制器演示的MRAM

团队(以及迄今为止的行业)面临的挑战之一是,这些新的内存技术(例如mram(目前已嵌入到某些处理器中))尚未嵌入动力总成芯片中。因此,在此演示中,团队采用了一种离散的“处理器外”解决方案。在此演示中,团队设计了MRAM评估板以与Powertrain微控制器母板接口。开发了新的低级驱动器(LLD),以取代动力总成芯片供应商提供的LLD。在本演示中,新修订的LLD用于验证串行/并行MRAM协议,不同模式下的读/写操作以及时序周期要求(通过在具有各种时钟频率的原型板上运行应用程序)。

www.sramsun.com SRAM芯片/非易失性MRAM芯片/PSRAM伪静态存储芯片 TEL:13751192923 QQ3161422826
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发表于2020-01-02 14:52:38   |  只看该作者
2#

MRAM的优势在于:

•像不挥发一样闪烁

•无编程/擦除周期(最快的写入周期)

•快速的SRAM接口

•对称的读/写周期

•字节寻址能力

•并行(x16)接口的35ns/2Bytes

•带有串行接口的0.4us/2bytes(使用工作在40MHz的SPI接口)

•无限耐力(无限使用)

•长期保留数据(高温下超过20年)

www.sramsun.com SRAM芯片/非易失性MRAM芯片/PSRAM伪静态存储芯片 TEL:13751192923 QQ3161422826

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