在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。

与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时间紧迫状态下的写入数据传输性能。MRAM设备可用的增加的内存存储空间还可以存储更多诊断数据。

mram芯片技术在汽车市场上有许多应用。由于MRAM技术与标准CMOS技术集成在一起，便可以将其嵌入到动力总成微处理器中（当今，MRAM嵌入了某些非汽车微处理器中）。但是由于以下的一些原因，此时将MRAM集成到Powertrain硅片中的最经济的方法是采用芯片堆叠。

•从动力总成硅片中删除内存阵列可减小其管芯尺寸，从而增加每个晶片的管芯数量，同时提高管芯良率。这两个动作均降低了动力总成芯片的成本

•芯片堆叠技术的进步已经成熟到可接受的质量水平。在已知好的动力总成芯片上堆叠MRAM的已知好芯片（KGD）提供了最便宜的解决方案，因为它集成了成本最低的CMOS芯片和成本最低的MRAM芯片。

在集成下一代ST-MRAM提供汽车市场所需的性价比（估计大约5年以上）之前，当今公认的可用的强大的MRAM技术似乎是集成的最佳方法。MRAM技术进入汽车应用。

汽车动力总成模块使用闪存技术在断电（保持活动内存和非易失性内存）期间保留重要的控制和诊断信息。 复杂的软件必须设计为最大化这些设备的生命周期，因为它们的写入周期数量有限。

MRAM（磁阻式随机存取存储器）具有消除这种复杂性的潜力，并使KAM和NVM的管理过程中更加轻松并更加强大。 本文演示了将板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。创建了集成了最新动力总成微控制器，everspin MRAM MRA16A（2个x16位）和MR2xH50（@ SCK 40MHz）芯片的原型板。进行了一项调查，评估了在模拟按键关闭和按键事件期间用于存储和检索数据的MRAM功能。

•从动力总成硅片中删除内存阵列可减小其管芯尺寸，从而增加每个晶片的管芯数量，同时提高管芯良率。这两个动作均降低了动力总成芯片的成本

•芯片堆叠技术的进步已经成熟到可接受的质量水平。在已知好的动力总成芯片上堆叠MRAM的已知好芯片（KGD）提供了最便宜的解决方案，因为它集成了成本最低的CMOS芯片和成本最低的MRAM芯片。

与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。