查看:
1717
|
回复:
6
|
SRAM芯片is62wv51216
|
|
发表于2020-03-17 14:48:03
|
只看该作者
1#
电梯直达
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。 当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。 使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。 IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA(7.2mmx8.7mm)和44引脚TSOP(TYPE II)中。英尚微电子亲自授权为ISSI代理,为各行业领域提供各种SRAM芯片,保持长期供货,完成客户各方面的需求. SRAM芯片型号IS62WV51216的管脚总的来说大致分为:电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。 SRAM芯片特征 •高速访问时间:45ns,55ns •CMOS低功耗运行 –36mW(典型值)运行 –12µW(典型值)CMOS待机 •TTL兼容接口级别 •单电源 –1.65V--2.2V VDD(62WV51216ALL) –2.5V--3.6V VDD(62WV51216BLL) •完全静态操作:无时钟或刷新需要 •三态输出 •高低字节数据控制 •可提供工业温度 •无铅 |
|
发表于2020-03-17 14:49:51
|
只看该作者
2#
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。
|
|
发表于2020-03-17 14:50:03
|
只看该作者
3#
当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。
|
|
发表于2020-03-17 14:50:16
|
只看该作者
4#
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。
|
|
发表于2020-03-17 14:50:53
|
只看该作者
5#
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA(7.2mmx8.7mm)和44引脚TSOP(TYPE II)中。英尚微电子亲自授权为ISSI代理,为各行业领域提供各种SRAM芯片,保持长期供货,完成客户各方面的需求.
|
|
发表于2020-03-17 14:51:07
|
只看该作者
6#
SRAM芯片型号IS62WV51216的管脚总的来说大致分为:电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。
|
|
发表于2020-03-17 14:51:38
|
只看该作者
7#
SRAM芯片特征 •高速访问时间:45ns,55ns •CMOS低功耗运行 –36mW(典型值)运行 –12µW(典型值)CMOS待机 •TTL兼容接口级别 •单电源 –1.65V--2.2V VDD(62WV51216ALL) –2.5V--3.6V VDD(62WV51216BLL) •完全静态操作:无时钟或刷新需要 •三态输出 •高低字节数据控制 •可提供工业温度 •无铅 |
|