Everspin除了是业内首个批量MRAM供应商之外，还拥有并运营位于亚利桑那州钱德勒的集成磁制造线。Everspin当前的产品基于180纳米和130纳米工艺技术节点。产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。

Everspin正在向全球领先的客户运送大量MRAM产品。我们拥有成熟的全球供应链，并致力于最高质量和寿命。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。

MR25H10CDC对于必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10CDC是理想的存储器。

·提供AEC-Q1001级合格选项。

·40MHz的读写速度，具有无限的耐力。

·数据非易失性，保留20年。

·数据保留掉电。

·符合RoHS的软件包。

MR25H10CDC是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟和无限的读/写寿命。

与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10CDC是理想的存储器解决方案。

MR25H10CDC提供5mmx6mm 8引脚DFN封装或5mmx6mm 8引脚DFN小标志封装。两者均与串行EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。

MR25H10CDC可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+85°C）和AEC-Q1001级（-40°C至+125°C）工作温度范围选项。我司宇芯有限公司everspin代理不同容量大小的MRAM存储芯片.