SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据会消失，因此SRAM存储器具有较高的性能。SRAM虽然只是存储器，但是使用的方法不一样，芯片的面积是不一样的。基于SRAM有两个事实：

（1）1R1W的SRAM面积要比1RW的SRAM的面积大不少。

同样规格的SRAM，增加一组读写接口，其面积会增加很多。但是有一种办法其实有可能将本来需要使用1R1W的SRAM改用1RW SRAM替掉，从而节省不少面积。比如本来需要使用64bit x 2K的1R1W SRAM存储器，读写接口都是64bit，有可能可以采用128 x 1K的1RW SRAM（读写共用一个接口），每次读写直接对128bit进行操作，这样读和写就可以每2T操作一次，有可能可以匹配起来，比如：读128bit->写128bit->读128bit->写128bit.......当然，这种替换方法要求SRAM使用的时候都是顺序读写，而非随机读写。

（2）同样容量的SRAM，其宽度和深度的比值不一样，其面积是不一样的。

比如16KB的SRAM，可能是64bit x 2K，或者是128bit x K，这两种规格面积是不一样的，使用64bit x 4K会更加节省面积，带来的芯片面积就越小就可以降低成本。如果说我的接口就需要是128bit呢？那么使用64bit x 4K的sram芯片，然后倍频读写就可以节省不少面积。

SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据会消失，因此SRAM存储器具有较高的性能。