经常有人将MRAM称作是非易失性存储器(NVRAM)未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速缓冲器﹑配置内存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商业应用。

Everspin半导体在磁存储器设计和制造及交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。包括40nm和28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM芯片生产。Everspin半导体在此生产基于180nm和130nm及90nm工艺技术节点的MRAM产品。Everspin半导体拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。  

作为一家将MRAM存储芯片技术商业化的公司，Everspin通过不断推出经济高效而且可靠的非易失性存储器来长期引导市场发展，例如Everspin MRAM MR2A16A 4Mb产品是一款商业Everspin MRAM器件，工作于商用级温度范围(o℃～+70℃)。

Everspin一款3V 4Mb的扩展温度范围为-40℃～+105℃的非易失性RAM(nvRAM)产品 MR2A16AV,从而扩展了其MRAM的产品系列。Everspin提供了新的扩展温度范围选择，使MRAM存储芯片可用于恶劣的应用环境，如工业、航空和和汽车应用设计等。在这类应用中,半导体存储芯片产品必须能够忍受恶劣的工作环境和极端的温度范围。

Everspin一种1Mb器件MR0A16A,扩展了商用MRAM产品系列。该存储器件可为系统设计师提供另一种密度选择，它针对的是主流嵌入式产品市场上的“最佳点(sweet spot)”。Everspin还计划进一步扩展其MRAM产品系列。