惠海半导体--中低压场效率管（MOSFET）

MOS管型号：HG012N06L

MOS管参数：60V50A

内阻：14mR（VGS=4.5V）

结电容：550pF

类型：SGT工艺NMOS

开启电压：1.8V

封装：TO-252

惠海HG012N06L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小

应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用

HG160N10LS为中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，HG160N10LS实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，

HG160N10LS产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品