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SP6649是一款性价比极高的PD20W快充解决方案
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sandtech
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发表于2020-11-27 17:16:32
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电梯直达
SP6649HF 是一颗电流模式 PWM 控制芯片,内置 650V 高压功率 MOSFET,应用于功率在 30W 以内的方案。 SP6649HF 在 PWM 模式下工作于固定开关频率,这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时,工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的工作效率。 SP6649HF 在启动和工作时只需要很小的电流,可以在启动电路中使用一个很大的电阻,以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路,当电路工作于大占空比时,避免次谐波振荡的发生,改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时,消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。 SP6649HF 采用了抖频技术,能够有效改善系统的 EMI 性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上,在工作时可以避免系统产生噪音。SP6649HF 内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(VDD OVP),VDD 过压箝位,欠压保护(UVLO),过温保护(OTP)等,通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的 EMI 特性和开关的软启动控制.主要应用充电器,PDA、数码相机、摄像机电源适配器,机顶盒电源,开放框架式开关电源,个人电脑辅助电。
SP6516F 是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中,轻松满足 6 级能效,是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达 150kHz 的开关频率应用,并且支持 CCM / QR / DCM 等开关电源工作模式应用,其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗,极大提高了系统的转换效率,大幅降低了整流器件的温度。 SP6516F芯片内置耐压60V 的NMOSFET 同步整流开关,且具有极低的内阻,典型 RdsON 低至 11mΩ,可提供系统高达 3A 的应用输出;还内置了高压直接检测技术,耐压高达 200V;以及自供电技术极大扩展了输出电压应用范围。
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sandtech
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发表于2020-11-30 08:58:13
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2#
早上好
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