碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。

（第三代半导体行业领军企业，率先掌握国际领先的碳化硅肖特基二极管，1200V碳化硅MOSFET，车规级碳化硅模块等 ）

产品广泛应用于：

电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域，

新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。