CR6212B系列采用反激式电路拓扑，是一款高性能原边检测控制的 PWM 开关，待机功耗小于 75mW。有CR6212BSG，典型应用功率≤12W、CR6212BSH典型应用功率≤15W、CR6212BSJ典型应用功率≤18W、CR6212BSM典型应用功率≤24W多种规格型号，均采用SOP-8L封装，引脚功能和OB2570、OB2571、OB2576、OB2578基本一致，可兼容代换OB2570、OB2571、OB2576、OB2578等IC。

CR6212B芯片系列特性：

● CR6212B内置 650V 高压功率 MOSFET，反激式原边检测，CC\CV原边检测 PWM 功率开关；

● 采用SOP8 封装，一侧引脚（5-8）全为内置 MOS 漏极，方便散热设计；

● 内置软启动，减小 MOSFET 的应力，内置斜坡补偿电路；

● 低功耗、高能效频率反走QR模式控制；

● 具有良好的EMI特性，可编程输入欠压或过压保护；

● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP、引脚悬空”等多种保护；

● 原边反馈，无需光耦和 TL431，内置电感量偏差补偿功能；

● 电路结构简单、较少的外围元器件，适用于小功率 AC/DC 电源适配器、充电器。

典型应用电路图

CR6212B系列芯片内部采用了多模式控制的效率均衡技术，用于芯片系统待机功耗和提升效率，采用原边控制方式，因此不需要 TL431 和光耦，还增加了CS频率抖动 EMI更加好，还有BO和LINE_OVP 检测，典型应用于小功率电源适配器、智能设备充电器、辅助电源等领域，更多CR6212B系列12V1A/12V1.5A/5V3.4A芯片产品手册、样品及参考应用资料请向骊微电子申请。>>