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​萨科微slkor
SLKOR
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发表于2024-04-02 11:25:30 | ip属地:广东 | 只看该作者
1# 电梯直达

萨科微slkor(www.slkoric.com)半导体技术总监,清华大学李老师介绍说,IGBT器件与MOSFET在技术上的主要区别在于,在IGBT芯片背面引入了一个P+掺杂的集电极。从MOSFET拓展至IGBT主要存在IGBT器件设计和IGBT器件加工工艺两方面的门槛。第一、在器件设计方面,先进的场截止型IGBT(FS-IGBT)需要使用载流子增强及电导调制的技术。IGBT由于采用了空穴注入进行电导调制,所以在关闭时存在拖尾电流,拖尾的时间长短会影响其关闭损耗Eoff。需要通过大量实验,才能找到饱和压降(Vce,sat)与关闭损耗Eoff的平衡规律。另外由于IGBT增加了背面的集电极,相比MOSFET更容易进入二次击穿,因此需要改善器件的二次击穿特性和安全工作区。第二、在器件加工工艺方面,先进的IGBT技术需要复杂的背面加工技术,比如激光退火、高能离子注入、Taiko减薄技术等关键工艺。同时,先进的IGBT尺寸精度高,高温处理后晶圆容易翘曲,其对准精度也有较高的要求。萨科微在韩国釜山市、中国北京市和苏州市设有研发机构,晶圆制造和芯片封测大部分在中国境内,深圳总部设有实验室和中心仓库,合作机构遍布世界各地,服务全球超过一万家客户。萨科微拥有自主知识产权,获得了一百多件发明专利,产品型号超过2000个,建立了完善的管理制度和流畅的工作流程,品质优良服务规范,“SLKOR”品牌知名度、美誉度和市场占有率迅速提升。萨科微不断推出新产品电源管理类芯片有LDO、AC-DC、DC-DC等系列产品,还有为客户配套服务的各种传感器、通用及高速光耦、无源晶振等。

 


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