• 非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
• 在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构和用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,Flash,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-29 14:38:00

• 非易失性存储器EEPROM
• 非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存储原理EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是通过高于普通电压的作用来擦除和重编程;且可以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入。但由于EEPROM的存储容量一般不大，因此主要应用在小存储数据的场合，比如电脑的BIOSROM芯片和配置信息存储等。EEPROM选型EEPROM特点EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-11 15:10:00

• 易失性存储DRAM详解
• DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。DRAM存储原理DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”，则电容被充电:若写入位为“0”，则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电，则该位为“1”;若电容没...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 易失性存储DRAM,易失性存储器,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-09 15:26:00

• 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
• 一种称为UniversalSelector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-10 16:27:00

• FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
• FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。注意：在写/...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,EEPROM,SRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:39:00

• 非易失性存储器MRAM技术介绍
• MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁层﹑薄绝缘隧道隔离层和自由磁层组成。当向MTJ施加偏压时，被磁层极化的电子会通过一个称为“穿遂”的过程，穿透绝缘隔离层。当自由层的磁矩与固定层平行时，MTJ结构具有低电阻;而当自由层的磁矩方向与固定层反向平行(anti-parallel)时，则具有高电阻。随着设备磁性状态的改变,电阻也会变化，这种...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-21 13:52:00

• EEPROM与内存Flash消耗能量计算
• 本篇文章存储芯片供应商宇芯电子要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3VEEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5ms，写入电流为3毫安（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作零）。•写入的数据量适合一页，并且使用块写入功能进行写入。•EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间，因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。（这个假设是相反的用于MRAM的；MRAM只需要通信时间，因为写入时间很短，因此它可以被视为零。）•EEPR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： EEPROM,内存Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-08 15:15:00

• MRAM与常用计算机内存的性能比较
• 新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:技术指标:具有sram芯片的随机存取速率;具有DRAM芯片的大容量存储密度;具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。产品目标:取代计算机的DRAM内存，取代手机的EEPROM闪存。表1列出MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较。表1SRAM、DRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,EEPROM,计算机内存,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-07 16:52:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00

• 不同类别存储器基本原理
• 存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用，并且在一个指令周期期间是可直接访问的。外存储器要求计算机从一个外贮藏装置例如磁带或磁盘中读取信息。存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAMcell结构由1个MOS和1个电容组成，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,DRAM,Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-19 15:47:00