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易失性存储DRAM详解
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是酒窝啊
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发表于2020-12-09 15:26:40
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电梯直达
DRAM是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理,相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。 DRAM存储原理 DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”,则电容被充电:若写入位为“0”,则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电,则该位为“1”;若电容没有被充电,则该位为“0”。
由于电容存在漏电阻,因此每个位单元都必须不断地、周期性地对进行充电,以维持原来的数据不丢失,此行为称之为刷新。 DRAM特点 由于每个存储位仅用一个晶体管和小电容,因此集成度比较高。就单个芯片的存储容量而言,DRAM可以远远超过SRAM;就相同容量的芯片而言,DRAM的价格也大大低于SRAM。这两个优点使DRAM成为计算机内存的主要角色。DRAM的行列地址分时复用控制和需要刷新控制,使得它比SRAM的接口要复杂一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。 DRAM推荐型号
SRAM与DRAM的区别 SRAM 1.速度快 2.不需要刷新可保持数据 3.无需MCU带特殊接口 4.容量小,256Kb-16Mb 5.集成度低,单位容量价格高 6.静态功耗低,运行功耗大 DRAM 1.速度较慢 2.需要刷新来保持数据 3.需要MCU带外部存储控制器 4.容量大,16Mb-4Gb 5.集成度高,单位容量价格低 6.运行功耗低 宇芯电子主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品,189-2655-4009
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