• EverspinMRAM非易失性存储器的五大优势
• MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。其次，MRAM不存在读取磨损的问题。由于MRAM的原理只涉及磁场改变方向等，不像闪存颗粒那样需要一定数量的电子才能工作，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-02-05 17:09:00

• 磁阻式随机存储器MRAM基本原理
• MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ),而后者则是电荷。每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了,而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁化方向一致时,磁性隧道结的电阻最低,其状态为“0”;反之,则磁性隧道结的电阻最高,其状态为“1”最常用的MRAM单元的结构是由一个NMOS晶体管和一个MTJ(作为记忆元件)组成。MTJ与NMOS顺序连接。NMOS晶体管由字线信号控制,读取数据时,NMOS开启，位线和源线间加一小的电压差,使电流流过MTJ,其大小由MTJ的状态决定。读出放大器将该电流与参考电流比较，判断MRAM单元里...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 磁阻式随机存储器,MRAM,MRAM基本原理 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-09 16:28:00

• 磁存储芯片STT-MRAM的特点
• 随着半导体工艺技术的不断进步,芯片工艺制程的不断演进和成本的不断降低,半导体芯片广泛应用在物联网、个人终端、汽车电子、可穿戴设备、工业互联网等各个领域。随着芯片工艺的逐步升级,性能问题已不在是芯片设计环节的主要瓶颈,如在很多手持设备领域,低功耗设计成为了芯片设计中的关键核心问题。通过引入一种基于磁存储芯片作为内部存储器件的芯片架构,同时也用作芯片内部的高速缓存,能够有效降低芯片漏电流,有效地提升了设备使用时间,降低了整体的TCO成本,大大提升了产品竞争力。在众多新型非易失性存储介质中,磁存储芯片(STT-MRAM)能够与CMOS半导体工艺良好兼容,利用较少的金属层即可以做到存储单元的高密度集...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,磁存储芯片,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-04 14:17:00

• 铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
• 新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存FRAM存储器不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放宇CMO...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,非易失性存储器,铁电随机存储器,磁性随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-29 14:24:00

• Everspin扩展MRAM产品系列
• 经常有人将MRAM称作是非易失性存储器(NVRAM)未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速缓冲器﹑配置内存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商业应用。Everspin半导体在磁存储器设计和制造及交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。包括40nm和28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM芯片生产。E...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,MRAM,非易失性存储器,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-22 16:11:00

• EverspinMRAM优化系统能耗
• Everspin在磁存储器设计制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章介绍EverspinMRAM优化系统能耗。与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。在计算设计的功耗预算时，工程师通常会查看设备的额定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，对于非易失性存储器，写电流远高于读或待...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-17 13:57:00

• everspin非易失性存储器MR4A16B
• Everspin科技公司表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品的发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(IntegratedMagnetic)产品的领导厂商everspin科技公司16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,mram芯片,磁性随机存储器 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-17 17:33:00

• 基于90nmCMOS技术的功能齐全的64MbDDR3STT-MRAM
• 自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此，everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。已经在800MHz的全64Mb上运行了标准的内存测试，例如March6N模式，其中0失败超过105个周期。还验证了从0°C到70°C的完整功能，性能没有明显变化。这些位是具有MgO隧道势垒的磁性隧道结（MTJ）和由CoFeB基合金制成的具...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ​自旋转矩磁阻随机存取存储器,everspin 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-07 16:28:00

• 汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM
• 汽车动力总成模块使用闪存技术在断电（保持活动内存（KAM）和非易失性内存（NVM））期间保留重要的控制和诊断信息。复杂的软件必须设计为最大化这些设备的生命周期，因为它们的写入周期数量有限。MRAM（磁阻式随机存取存储器）具有消除这种复杂性的潜力，并使KAM和NVM的管理过程更轻松，更强大。板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。创建了集成了最新动力总成微控制器，everspinMRAMMRA16A（2个x16位）和MR2xH50（@SCK40MHz）芯片的原型板。汽车工业正在引入新的非易失性存储器，例如mram芯片，相控存储器（PCRAM）和RRAM。这些新的存储器在汽车改变状态条...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,随机存取存储器MRAM,汽车专用SRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-27 17:17:00

• EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
• 相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存储技术，从20世纪90年代开始发展。该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力，快闪存储器的非易失性、容量密度和与DRAM几乎相同的使用寿命，但平均能耗却远低于DRAM，而且可以无限次地重复写入。...
• 所属专栏： 电子入门基础知识 标签： EVERSPIN 非易失性存储器 MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-20 17:24:00