• EverspinMRAM非易失性存储器的五大优势
• MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。其次，MRAM不存在读取磨损的问题。由于MRAM的原理只涉及磁场改变方向等，不像闪存颗粒那样需要一定数量的电子才能工作，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-02-05 17:09:00

• 基于嵌入式STT-MRAM的架构方案
• 本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯片漏电流,减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长,降低整体使用成本。本方案的技术特征在于:(1)用兼容SRAM的嵌入式STT-MRAMIP取代传统的SRAM单元。SRAM-like的总线接口信号包括片选CS、写使能WE、读使能RE、输出使能信号OE、复位RST、时钟CLK、地址线A、数据输入线DIN和数据输出线DOUT。除了一些串行配置接口之外,基本与SRAMIP的接口保持一致，非常便于SOC的系统集成。如图1为应用嵌入式STT-MRAM之后...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-18 14:21:00

• 非易失性MRAM存储器应用于各级高速缓存
• 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存。MRAM替代SRAM做L2高速缓存首先比较具有同样面积的MRAM和SRAM。直接用相同面积的MRAM替换SRAM作L2高速缓存能降低错误率。但是写入延时较长。当写入操作强度高时,错误率降低的优势会被长延时所抵消导致性能下降。虽然这种直接替代能大大降低漏功耗,但当写入密集时,动态功耗显著增加,使减少能耗的效果变差。若直接用相同面积的MRAM替代sram,在写入操作较密集时,其写入长延时和高能耗等缺点会抵消其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,MRAM存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-05 17:29:00

• 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
• 一种称为UniversalSelector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-10 16:27:00

• 非易失性存储器MRAM技术介绍
• MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁层﹑薄绝缘隧道隔离层和自由磁层组成。当向MTJ施加偏压时，被磁层极化的电子会通过一个称为“穿遂”的过程，穿透绝缘隔离层。当自由层的磁矩与固定层平行时，MTJ结构具有低电阻;而当自由层的磁矩方向与固定层反向平行(anti-parallel)时，则具有高电阻。随着设备磁性状态的改变,电阻也会变化，这种...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-21 13:52:00

• EverspinMRAM优化系统能耗
• Everspin在磁存储器设计制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章介绍EverspinMRAM优化系统能耗。与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。在计算设计的功耗预算时，工程师通常会查看设备的额定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，对于非易失性存储器，写电流远高于读或待...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-17 13:57:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00

• 国内首次实现晶圆级亚百纳米ST-MRAM存储器件制备
• 近日中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。什么是STT-MRAM？STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结（MTJ）或自旋阀中实现的，ST-MRAM设备使用STT隧道结（STT-MTJ）。通过使电流流过薄磁性层来产生自旋极化电流。然后该电流被引导到一个较薄的磁性层中，该磁性层将角动量传递到改变其自旋的薄层中。中科院微电子联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8英寸CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ST-MRAM,ST-MRAM存储器,STT-MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-23 16:27:00

• ​​everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途
• everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态，因此与现有的非易失性存储器相比，它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比，MRAM的优势在于：•像不挥发一样闪烁•无编程/擦除周期（最快的写入周期）•快速的SRAM接口•对称的读/写周期•字节寻址能力•并行（x16）接口的35ns/2Bytes•带有串行接口的0.4us/2bytes（使用工作在40MHz的SPI接口）•无限...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​​everspin,非易失性存储器,MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-31 14:32:00

• EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
• 相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存储技术，从20世纪90年代开始发展。该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力，快闪存储器的非易失性、容量密度和与DRAM几乎相同的使用寿命，但平均能耗却远低于DRAM，而且可以无限次地重复写入。...
• 所属专栏： 电子入门基础知识 标签： EVERSPIN 非易失性存储器 MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-20 17:24:00