• EverspinMRAM替换FRAM
• FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初次读取后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的“预充电”时间，这可能会增加初始访问时间。环境温度高于85°C，由于自由电荷的积累导致FRAM磨损，从而导致影响10年的数据保留。EverspinMRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。MRAM使用更简单的1晶体管，1磁性隧道结单元构建。简单的EverspinMRAM单元可提高制造效率并提高可靠性.MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,Everspin MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-29 17:13:00

• EverspinMRAM内存技术如何工作
• EverspinTechnologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。那EverspinMRAM内存技术是如何工作的？Everspin代理下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。EverspinMRAM与标准CMOS处理集成EverspinMRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,MRAM内存技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-31 14:25:00

• EverspinMRAMMR2xH40xDF可替换CY15B104QN
• Everspin器件是一个40MHz/50MHzMRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPIFRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换SPI-FRAM之前，有几个参数需要进行一些系统级分析，包括输出负载，启动时间以及加电和断电斜坡。Everspin代理宇芯电子为广大用户提供关于产品技术支持及解决方案等。比较的可靠性考虑CY15B104QNFRAM架构采用铁电材料作为存储设备。这些材料的固有电偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,CYPRESS,FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-26 17:12:00

• 当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性
• Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。为云存储，能源，工业，汽车和运输市场提供了上亿只MRAM和STT-MRAM存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。ToggleMRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。图1内存制造过程由于器件架构相对复杂，因此EverspinMRAM的生产过程分为多个阶段，在CMOS背板的顶部...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,STT-MRAM,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-13 11:34:00

• MRAM与FRAM技术比较
• MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（WriteCycle）是在电磁隧道结（MTJ）上方和下方的导线中产生脉冲电流的结果（见图1）。图1：磁性隧道结（MTJ）电流脉冲带来的相关H场会改变自由层的极化铁磁材料。这种磁性开关不需要原子或电子的位移，这意味着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩改变了MTJ的阻抗（见图2）。图2：MRAM磁...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,MRAM数据,FRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-10 16:30:00

• STT-MRAM高密度低能耗技术
• STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了带磁性外壳的附加写信息线，最大限度地减少了制备工艺程序，并使存储单元的横截面积减小、存储密度高、存储速度快，满足高性能计算机系统的设计要求。研究人员建议用反铁磁材料制造STT-MRAM器件-与目前使用的铁磁材料相反。研究人员说这些材料将使高密度器件能够以低电流实现高速写入。反铁磁性材料在微观尺度上有磁性，但在宏观尺度上却没有。这意味着用这些材料制成的MRAM单元的相邻位之间没有磁力-这意味着您可以将它们非常紧密地包装在一起。研究人员还证明，电流可用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,STT-MRAM技术,低能耗MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-05 14:56:00

• 快速写入的高密度MRAM技术
• 基于TMR和巨大隧穿磁阻效应，总共衍生出两代主要的MRAM器件类型：第一代是磁场驱动型MRAM，即通过电流产生的磁场驱动存储单元的磁矩进行写入操作，典型代表有星型MRAM和嵌套型MRAM；第二代是电流驱动型自旋转移矩MRAM（STT-MRAM），即通过极化电流对存储单元进行写入操作。弗吉尼亚大学的研究人员开发出的一种使用MRAM的短期和长期存储解决方案的技术。该器件使用旋转转矩电流来改变每个存储域的磁化强度，以实现更高的存储位密度和更快的写入速度。这些存储域沿着存储线分配，并且在不施加电压时，每个域附近的多铁性元素可提供磁化稳定性。为了写入单个位，电流通过存储线，并且多铁性元件和自由层的相互...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 高密度MRAM,MRAM技术,高密度MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-04 14:35:00

• STT-MRAM存在的两个弊端
• 随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流，增加热稳定性；另一方面Sony、Hitachi、Renesas、Crocus、Toshiba、Samsung、Hynix、IBM等多家公司也在积极研发STT-MRAM。早期的磁隧道结采用面内磁各向异性（In-PlaneMagneticAnisotropy）。它存在如下两个弊端：1）随着工艺减小，热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒和磁各向异性场，面内磁各向异性的来源是薄膜平面较大的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,EVERSPIN,MRMA,MRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-15 14:49:00

• MRAM技术进入汽车应用
• 在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时间紧迫状态下的写入数据传输性能。MRAM设备可用的增加的内存存储空间还可以存储更多诊断数据。mram芯片技术在汽车市场上有许多应用。由于MRAM技术与标准CMOS技术集成在一起，便可以将其嵌入到动力总成微处理器中（当今，MRAM嵌入了某些非汽车微处理器中）。但是由于以下的一些原因，此时...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM技术,MRAM,汽车MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-14 13:46:00

• 航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
• TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。ÅACMicrotec在其Tohoku-ÅACMEMS单元（TAMU）（磁力计子系统）中使用了Everspin扩展的温度范围4MbitMRAM。everspin的4MbitMRAM器件取代了闪存和电池供电的SRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： mram芯片,everspin,Everspin,MRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-26 17:19:00