• EverspinMRAM非易失性存储器的五大优势
• MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。其次，MRAM不存在读取磨损的问题。由于MRAM的原理只涉及磁场改变方向等，不像闪存颗粒那样需要一定数量的电子才能工作，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-02-05 17:09:00

• 基于嵌入式STT-MRAM的架构方案
• 本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯片漏电流,减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长,降低整体使用成本。本方案的技术特征在于:(1)用兼容SRAM的嵌入式STT-MRAMIP取代传统的SRAM单元。SRAM-like的总线接口信号包括片选CS、写使能WE、读使能RE、输出使能信号OE、复位RST、时钟CLK、地址线A、数据输入线DIN和数据输出线DOUT。除了一些串行配置接口之外,基本与SRAMIP的接口保持一致，非常便于SOC的系统集成。如图1为应用嵌入式STT-MRAM之后...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-18 14:21:00

• 非易失性MRAM存储器应用于各级高速缓存
• 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存。MRAM替代SRAM做L2高速缓存首先比较具有同样面积的MRAM和SRAM。直接用相同面积的MRAM替换SRAM作L2高速缓存能降低错误率。但是写入延时较长。当写入操作强度高时,错误率降低的优势会被长延时所抵消导致性能下降。虽然这种直接替代能大大降低漏功耗,但当写入密集时,动态功耗显著增加,使减少能耗的效果变差。若直接用相同面积的MRAM替代sram,在写入操作较密集时,其写入长延时和高能耗等缺点会抵消其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,MRAM存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-05 17:29:00

• 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
• 一种称为UniversalSelector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-10 16:27:00

• 非易失性存储器MRAM技术介绍
• MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁层﹑薄绝缘隧道隔离层和自由磁层组成。当向MTJ施加偏压时，被磁层极化的电子会通过一个称为“穿遂”的过程，穿透绝缘隔离层。当自由层的磁矩与固定层平行时，MTJ结构具有低电阻;而当自由层的磁矩方向与固定层反向平行(anti-parallel)时，则具有高电阻。随着设备磁性状态的改变,电阻也会变化，这种...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-21 13:52:00

• EverspinMRAM优化系统能耗
• Everspin在磁存储器设计制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章介绍EverspinMRAM优化系统能耗。与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。在计算设计的功耗预算时，工程师通常会查看设备的额定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，对于非易失性存储器，写电流远高于读或待...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-17 13:57:00

• 非易失性MRAM读写操作
• 高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，在低功耗待机模式（LPSB）下，，相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32Mb数据，它具有100K个循环的耐久性，而对于1Mb的数据可以>1M个循环。它在260°C的IR回流下具有90秒的数据保留能力，在150°C的条件下可保存数据10年以上。MRAM读取操作为了从LPSM快速，低能耗唤醒以实现高速读取访问，它采用了细粒度的电源门控电路（每128行一个），分两步进行唤醒（如图1所示）。电源开关由两个开关组成，一个开关用于芯片电源V...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,MRAM,存储器,MRAM读取 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-02 16:42:00

• 国内首次实现晶圆级亚百纳米ST-MRAM存储器件制备
• 近日中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。什么是STT-MRAM？STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结（MTJ）或自旋阀中实现的，ST-MRAM设备使用STT隧道结（STT-MTJ）。通过使电流流过薄磁性层来产生自旋极化电流。然后该电流被引导到一个较薄的磁性层中，该磁性层将角动量传递到改变其自旋的薄层中。中科院微电子联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8英寸CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ST-MRAM,ST-MRAM存储器,STT-MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-23 16:27:00

• STT-MRMA非易失性存储器技术优点
• 到目前为止，设计人员可以使用的存储技术是易变的，这意味着在断电后，存储器中的数据内容会丢失。但是，随着EverspinTechnologies推出256MbSTT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。图1：STT-MRAMSTT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据，该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。STT-MRAM的性能类似于DRAM，但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3，它与标准JEDECDDR3非常相似。将来...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM技术 MRAM 非易失性存储器 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-17 16:38:00

• STT-MRAM存储器技术结构图
• 目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视.在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性.STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在芯片中提供非挥发性储存的功能.STT-MRAM深受市场关注尽管,STT-MRAM这项技术看起来虽然有其优势,却也高度复杂,这就是为什么它的发展历程远比预期的时间还更长.包括三星、台积电、英特尔、GlobalFoundrie...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,非易失性MRAM,Everspin,非易失性存储技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-10 16:33:00