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STT-MRMA非易失性存储器技术优点

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发表于2019-12-17 16:38:29 | 只看该作者
1# 电梯直达

到目前为止,设计人员可以使用的存储技术是易变的,这意味着在断电后,存储器中的数据内容会丢失。但是,随着Everspin Technologies推出256Mb STT-MRAM,系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存,但可以提供持久的非易失性数据存储。

 

图1:STT-MRAM


STT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的,不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据,该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。 STT-MRAM的性能类似于DRAM,但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3,它与标准JEDEC DDR3非常相似。将来还将提供ST-DDR4接口,从而带来更高的速度和更大的容量。


STT-MRAM技术的一些优点是:

•非易失性数据

•性能特征类似于DRAM


记忆

•十亿次以上的数据耐久性

•DDR3兼容封装和未来的DDR4


兼容的脚印

•ST-DDR3接口和将来的ST-DDR4接口

•字节读写(无块)


STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM 的二代产品。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ,由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是通过自旋电流实现信息写入的



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发表于2019-12-17 16:58:22   |  只看该作者
2#
有没有公开的参考价格呢?

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发表于2019-12-18 09:02:20   |  只看该作者
3#
听起来像 intel  optane 唉

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发表于2019-12-18 17:05:24   |  只看该作者
4#
发表于2019-12-17 16:58:22  2# 有没有公开的参考价格呢?
您可以去我司的阿里巴巴官网看一下呢

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发表于2019-12-18 17:07:59   |  只看该作者
5#
发表于2019-12-18 09:02:20  3# 听起来像inteloptane唉
都是存储来的,在技术上面肯定会有相似之处的

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发表于2019-12-23 08:34:00   |  只看该作者
6#
发表于2019-12-18 17:07:59  5# 都是存储来的,在技术上面肯定会有相似之处的

你们现在这个都有什么接口的?


有 sata 接口的么?


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发表于2019-12-24 15:06:47   |  只看该作者
7#
发表于2019-12-23 08:34:00  6# 你们现在这个都有什么接口的?有sata接口的么?
您要什么接口的呢,您可以联系下方的联系方式,让技术给您推荐解答

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发表于2019-12-27 12:17:47   |  只看该作者
8#
发表于2019-12-24 15:06:47  7# 您要什么接口的呢,您可以联系下方的联系方式,让技术给您推荐解答

我的电子邮箱是  wyanb@sina.com


可以发一个介绍给我看一下吗?


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