• 自旋传递扭矩STT-MRAM通用存储器
• 自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读取。STT-MRAM是一种适用于未来使用超精细工艺生产的MRAM的技术，可以有效地嵌入到随后的诸如FPGA和微处理器，微控制器和片上系统（SoC）之类的半导体器件中。对于嵌入式设计人员而言，特别的好处是，STT-MRAM所需的内部电压仅为1.2V。它可以使用单个1.5...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 通用存储器,自旋传递扭矩存储器,STT-MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-19 16:41:00

• 基于嵌入式STT-MRAM的架构方案
• 本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯片漏电流,减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长,降低整体使用成本。本方案的技术特征在于:(1)用兼容SRAM的嵌入式STT-MRAMIP取代传统的SRAM单元。SRAM-like的总线接口信号包括片选CS、写使能WE、读使能RE、输出使能信号OE、复位RST、时钟CLK、地址线A、数据输入线DIN和数据输出线DOUT。除了一些串行配置接口之外,基本与SRAMIP的接口保持一致，非常便于SOC的系统集成。如图1为应用嵌入式STT-MRAM之后...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-18 14:21:00

• 磁存储芯片STT-MRAM的特点
• 随着半导体工艺技术的不断进步,芯片工艺制程的不断演进和成本的不断降低,半导体芯片广泛应用在物联网、个人终端、汽车电子、可穿戴设备、工业互联网等各个领域。随着芯片工艺的逐步升级,性能问题已不在是芯片设计环节的主要瓶颈,如在很多手持设备领域,低功耗设计成为了芯片设计中的关键核心问题。通过引入一种基于磁存储芯片作为内部存储器件的芯片架构,同时也用作芯片内部的高速缓存,能够有效降低芯片漏电流,有效地提升了设备使用时间,降低了整体的TCO成本,大大提升了产品竞争力。在众多新型非易失性存储介质中,磁存储芯片(STT-MRAM)能够与CMOS半导体工艺良好兼容,利用较少的金属层即可以做到存储单元的高密度集...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,磁存储芯片,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-04 14:17:00

• 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
• 一种称为UniversalSelector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-10 16:27:00

• 国内首次实现晶圆级亚百纳米ST-MRAM存储器件制备
• 近日中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。什么是STT-MRAM？STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结（MTJ）或自旋阀中实现的，ST-MRAM设备使用STT隧道结（STT-MTJ）。通过使电流流过薄磁性层来产生自旋极化电流。然后该电流被引导到一个较薄的磁性层中，该磁性层将角动量传递到改变其自旋的薄层中。中科院微电子联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8英寸CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ST-MRAM,ST-MRAM存储器,STT-MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-23 16:27:00

• 研究人员开发一种新的MRAM单元结构
• MRAM存储芯片可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军事及太空应用，这些对于MRAM存储芯片开发人员来说是重要的部分。东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构，该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻（USMR）。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。自旋霍尔效应导致电子在材料的侧面以一定的自旋积累。通过将拓扑绝缘体与铁磁半导体相结合，研究人员设法制造出具有巨型USMR的器件。MRAM存储芯片是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM存储芯片具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储芯片,汽车MRAM,存储技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-20 14:37:00

• 选择MRAM的理由
• MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未实现其潜力，但截至2020年初，市场上有从很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在将该技术用于许多应用。虽然有了这么多的论文和研究成果，但是目前并没有MRAM实际产品制造出来。另一个有趣的问题就是MRAM保存数据的稳定性，热稳定性毫无疑问会影响数据的保留期限，温度越高就越不稳定，这就需要平衡数据保存的期限。一般的半导体数据保存期限是10年，为此需要1bit或者2bit的ECC校验单元...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM，MRAM芯片,MRAM存储芯片 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-08 15:20:00

• STT-MRAM万能存储器芯片
• 传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件，它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度，具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。“万能存储器”概念作为新一代存储器的要求被提出来。自旋转移矩—磁随机存储器器件（SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemory：STT-MRAM）就是一种接近“万能存储器”要求的极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。类比地球的公转与自转，微观世界的电子同时具有围绕原子核的“公转”轨道运动（电荷属性）、电子内禀运动（自旋属性）。STT-MRAM就...
• 所属专栏： 谈天说地 标签： STT-MRAM,存储器芯片 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-20 16:20:00

• everspin展示28nm单机1GbSTT-MRAM芯片
• Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者，向市场展示了其28nm单机1GbSTT-MRAM芯片。everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。本文主要介绍描述了图1所示的具有28nmCMOS的1Gb1.2VDDR4STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。图1.Everspin40nm1.5nmDDR3256Mb（顶部）和1.2VD...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,1Gb STT-MRAM芯片,STT-MRAM芯片 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-08 16:34:00

• STT-MRMA非易失性存储器技术优点
• 到目前为止，设计人员可以使用的存储技术是易变的，这意味着在断电后，存储器中的数据内容会丢失。但是，随着EverspinTechnologies推出256MbSTT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。图1：STT-MRAMSTT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据，该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。STT-MRAM的性能类似于DRAM，但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3，它与标准JEDECDDR3非常相似。将来...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM技术 MRAM 非易失性存储器 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-17 16:38:00