• 提升SRAM性能的传统方法
• 随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注.这类芯片对性能和功耗要求苛刻.静态随机存储器(SRAM)作为芯片的重要组成部分,大程度上影响着芯片的面积和功耗,因此其功耗的优化成了芯片功耗优化的关键所在.本篇文章由专注于销售代理SRAM、MRAM、PSRAM等存储芯片供应商宇芯电子介绍如何利用传统方法提升SRAM性能。SRAM单元的数据保持功能是通过背靠背的反相器实现的,因此为了使单元能最稳定地保持数据,每个反相器都要工作在最优的噪声容限下.使单个反相器获得最优噪声容限的传统做法是,先把NMOS和PMOS的沟道长度固定为最小沟道长度，再调整NMOS和PMOS的宽...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-25 16:48:00

• SRAM存储器芯片地址引脚线短路检测方法
• SRAM是控制器电路中重要的元器件，控制器硬件出厂时，要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写，可以判断SRAM芯片是否损坏，以及数据线是否虚焊。为解决现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题；提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法，包括以下步骤：一、根据芯片地址引脚的排列特性，列出地址引脚间可能短路的待检引脚组；二、获得sram芯片的起始地址，并确定所有与待检引脚组相对应的相关地址；三、依次向所有相关地址中写入与起始地址中数据不同的校验数据，比较校验数据写入前后起始地址中的数据，若起始地址中的数据发生变化则与该对应相关地址的待检引脚组中引脚间具有短...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器芯片,SRAM存储器,SRAM,SRAM检测 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-16 14:03:00

• SRAM电路工作原理
• 近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。SRAM写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM存储单元中。首先片选信号CEBB置为低电平，读控制电路开始运作。10位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15准备就绪，地址信号有效，系统开始译码、选择要写入的存储单元以及需要写入的数据。当时钟信号CKB高电平到来时，CKB信号控制译码电路完成最后的译码，行译码电路选中的那一行存储单元写字线W...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM电路,SRAM工作原理,SRAM读操作,SRAM写操作 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-29 15:51:00

• SRAM市场与技术
• 相比于其他市场，汽车市场更为关注技术成熟度。目前FRAM在汽车行业的销售数量已超过8亿台，技术已相当成熟，汽车行业的客户完全可以对此放心无忧为什么要在汽车中使用“FRAM”?与EEPROM和FLASH非易失性内存相比，FRAM在EDR应用上有三大关键优势。对于那些有精确时间要求的应用来说，FRAM会立即具备非易失性。这些应用在系统发生故障时，最重要的数据，如数据记录器通常会面临风险。FRAM擦写周期为10E+14，而EEROM为10E+6，FLASH为10E+5，。因此FRAM是数据记录器的理想选择，其数据可持续写入。FRAM的读写操作功耗低，对于具有独立有限电源如电池或电容的应用来说，尤其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM市场，SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-25 16:20:00

• SRAM灵敏放大器的类型及设计思想
• 本篇文章内容宇芯电子主要介绍关于SRAM芯片中灵敏放大器的类型以及设计。如图1所示为几种基本灵敏放大器的结构。差分放大器因其具有抗干扰能力强、电压摆幅大、偏置电路简单和线性度高的优点，多用在CMOS存储器读出放大单元的设计中，如SRAM、DRAM等。交叉耦合型灵敏放大器具有速度快的特点。如图（b）所示，交叉耦合放大电路中，由PMOS管组成的交叉耦合对是由差分结构中的电流镜替代而成的，相对于差分电路而言，正反馈的结构能加快读取速度，然而由于其中的正反馈，使得它容易由于器件尺寸的不匹配而被锁存在一个错误的状态。锁存型灵敏放大器表现在当CMOS反相器处在它的过渡区时将表现出很高的增益。此时NMOS...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器,SRAM,SRAM灵敏放大器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-12 16:08:00

• 关于如何提高SRAM存储器的新方法
• SRAM是当今处理器上最普遍的内存。当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时，通常是较小的晶体管引起了人们的注意。但是连接晶体管形成电路的互连也必须收缩。IMEC的研究人员提出了一个方案，可以使SRAM保持良好的性能，并最终能够将更多的晶体管封装到集成电路中。而且还能降低导线电阻和延迟，提高SRAM的执行速度。SRAM由6个晶体管组成，控制读写的两条连线被称为位线和字线，是两条较长的连线。长而窄的连线电阻更大，延时更长。字线和位线的电阻对SRAM运行速度的提高和工作电压的降低构成了限制。按照传统方法来实现集成电路需要先在在硅衬底上构建晶体管，然后再在硅衬底上添加互连层，将晶体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器,SRAM,SRAM单元 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-11 15:49:00

• ​SRAM中灵敏放大器的原理
• 在SRAM中，读操作开始前，先要对两条位线进行预充电，将两条位线初始化为相同的高电平。预充完后，字线选中的存储单元对位线进行充放电。存储单元尺寸很小，驱动能力很弱，且位线负载相对较大，所以两条位线输出的是都是绝对值较高的电压（3～3.5V），其高低电平相差很小。如果直接送入输出缓冲器，将无法识别逻辑0和1，即使能识别也需要较长的充放电时间，严重影响了SRAM的读取速度和数据的可靠性。灵敏放大器即是使小的差分输入电压放大成更大的输出电压。由于存储器中差分位线上的负载重，因而位线上的电压变化非常缓慢。为了降低延时，首先要使所有位线上的电压都相等接下来，当这些位线被驱动时，灵敏放大器就可以检测到一...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​SRAM,SRAM灵敏放大器,SRAM灵敏放大器原理 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-09 17:47:00

• SRAM存储单元读操作分析
• 一个典型的SRAM基本结构中，每个存储单元都通过字线和位线与它所在的行和列中的其它存储单元有电学连接关系。水平方向的连线把所有的存储单元连成一行构成字线，而垂直方向的连线是数据输入和数据输出存储单元的通路，称为位线。每一个存储单元都能通过选择适当的字线和位线被唯一地定位。宇芯有限公司介绍关于SRAM存储器的读操作分析。图1六管单元的读出操作SRAM存储单元读操作分析存储单元的读操作是指被寻址的存储单元将它存储的数据送到相应位线上的操作。图3.5表示的是进行读操作的一个SRAM单元，两条位线开始都是浮空为高电平。假设当前单元中存储的值为逻辑“1”，即节点A为高电平，节点B为低电平。读操作开始前...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM存储器,SRAM芯片,SRAM读写操作 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-29 17:36:00

• AT2401C与RFX401C兼容性技术参考规格书
• 很多客户对一些无线发射功能的芯片那个距离不太满意，但是又看重那款芯片的成本。有的只能狠狠的舍掉那块‘肉’，有的会去寻求方法！近期有个老客户有来问问我，我就只问了一句，他在不在乎功耗加大，要不不在乎这点的话可以考虑加个功放芯片，我们公司就有！这款芯片相信很多人都认识，那就是RFX2401C很多厂家用功放放大芯片就是这款！RFX2401C是集成电路RF单片机(射频前端集成电路)，包含所有内部IEEE802.15.4/ZigBee,提供服务所需的射频功能无线传感器网络,和其他无线系统在2.4ghz的ISM波段。RFX2401C架构集PA、LNA、收发开关电路，相关的匹配网络,在CMOS单片机和谐波...
• 所属专栏： 器件替换 标签： PA,功放放大器 发帖人：动能1234 发帖时间：2019-10-24 17:08:00

• 请推荐一款价格实惠的差分放大器
• 请推荐一款价格实惠的差分放大器单电源供电
• 所属专栏： 技术交流 标签： 差分放大器 放大器 发帖人：逝去de青春 发帖时间：2017-09-13 16:53:00