在SRAM 中，读操作开始前，先要对两条位线进行预充电，将两条位线初始化为相同的高电平。预充完后，字线选中的存储单元对位线进行充放电。存储单元尺寸很小，驱动能力很弱，且位线负载相对较大，所以两条位线输出的是都是绝对值较高的电压（3～3.5V），其高低电平相差很小。如果直接送入输出缓冲器，将无法识别逻辑0 和1，即使能识别也需要较长的充放电时间，严重影响了SRAM的读取速度和数据的可靠性。

灵敏放大器即是使小的差分输入电压放大成更大的输出电压。由于存储器中差分位线上的负载重，因而位线上的电压变化非常缓慢。为了降低延时，首先要使所有位线上的电压都相等接下来，当这些位线被驱动时，灵敏放大器就可以检测到一个小的电压摆幅并将其恢复到正常的逻辑电平。通过公式t∝(C/I)ΔV，其中，t位逻辑门的延时，C为负载电容，I为输出电流，ΔV为输出电压的摆幅，得知灵敏放大器电路通过避免等待位线上的电压变成全摆幅来降低延时.