• ​内存技术词汇表
• 内存是计算机的重要部件之一。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行。内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。内存(Memory)也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算。当运算完成，CPU将结果传送出来。内存的运行也决定计算机整体运行快慢的程度。本篇文章宇芯电子介绍关于内存技术词汇内容。ADAS–高级驾驶员辅助系统BiCS–比特成本可扩展BIOS–基本输入输出系统CBRAM–导电桥接随机存取存储器CPU–中央处理器DIMM–双列直插式内存模块...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​内存技术,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-22 14:24:00

• 提升SRAM性能的传统方法
• 随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注.这类芯片对性能和功耗要求苛刻.静态随机存储器(SRAM)作为芯片的重要组成部分,大程度上影响着芯片的面积和功耗,因此其功耗的优化成了芯片功耗优化的关键所在.本篇文章由专注于销售代理SRAM、MRAM、PSRAM等存储芯片供应商宇芯电子介绍如何利用传统方法提升SRAM性能。SRAM单元的数据保持功能是通过背靠背的反相器实现的,因此为了使单元能最稳定地保持数据,每个反相器都要工作在最优的噪声容限下.使单个反相器获得最优噪声容限的传统做法是,先把NMOS和PMOS的沟道长度固定为最小沟道长度，再调整NMOS和PMOS的宽...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-25 16:48:00

• Flash存储器的故障特征
• Flash存储器是一种基于浮栅技术的非挥发性半导体存储器，一般有NOR、NAND、DINOR和AND等几种类型。作为一类非易失性存储器,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高电压即可进行电可擦除和重复编程,成本低及密度大,因而广泛用于嵌入式系统中。与RAM不同的是,Flash存储器除了具有一些典型的存储器故障类型外,还会出现一些其它的故障类型，例如NOR类型的Flash还会出现以下主要故障类型:(1)栅极编程干扰(GPD)和栅极擦除干扰(GED)，对一个存储单元的编程操作引起同一字线上的另外单元发生错误的编程或擦除操作。(2)漏极编程干扰和漏极擦除干扰:对一个存储单元的编程操...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Flash存储器,Flash,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-16 14:54:00

• SDRAM内存条时序特点
• SDRAM存储器读写速度较高，其单位容量的功耗较低，广泛应用在许多工程项目中，特别在雷达、图像处理等需要高速度、大容量的数据存储领域，SDRAM存储器有着广泛的应用价值。而单片SDRAM存储器一般是直接焊接在电路板上，而且引脚较多、一旦遇上SDRAM存储器工作故障，更换芯片比较麻烦，并且当需要扩充容量时修改电路也不方便。计算机上广泛应用的内存条具有速度高、容量大、接口标准、扩展方便等优点。在大容量,高速数据存储的领域,应用SDRAM内存条代替一般的单片SDRAM存储器，给实际电路的更改和存储容量的扩展带来了极大的方便。本篇文章宇芯电子存储芯片供应商主要介绍关于SDRAM内存条时序特点。SDR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SDRAM,内存条,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-30 16:33:00

• 断电也能保存数据的MRAM技术精髓
• 内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少，但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的，一旦没有持续的电力，所存储的数据就会立即消失，这就直接导致目前的PC必需经历一段不短的时间进行启动才能正式使用，而无法像其他家电一样即开即用。然而MRAM却是一种全新的技术，甚至有望令PC的应用方式彻底改变。一、断电也能保存MRAM技术精髓MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，所谓“非易失性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与目前极为流行的闪存芯片类似;而“随机存取”是指CPU读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。MRAM运作...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-27 14:15:00

• EverspinMRAM内存技术如何工作
• EverspinTechnologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。那EverspinMRAM内存技术是如何工作的？Everspin代理下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。EverspinMRAM与标准CMOS处理集成EverspinMRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,MRAM内存技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-31 14:25:00

• MRAM独特功能替换现有内存
• 在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本，制造需要进入CMOS晶圆厂，并成为常规设备制造的一部分。除了将MRAM进一步整合到制造链...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,SRAM,内存,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-30 15:40:00

• 研究人员开发一种新的MRAM单元结构
• MRAM存储芯片可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军事及太空应用，这些对于MRAM存储芯片开发人员来说是重要的部分。东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构，该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻（USMR）。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。自旋霍尔效应导致电子在材料的侧面以一定的自旋积累。通过将拓扑绝缘体与铁磁半导体相结合，研究人员设法制造出具有巨型USMR的器件。MRAM存储芯片是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM存储芯片具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储芯片,汽车MRAM,存储技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-20 14:37:00

• Flash存储器现货行情
• 据多名从业者反映，目前存储芯片交货的几乎都是年前的订单，因为疫情影响没有新的订单需求。对于行业内的行情，业者多持看好的态度，相信今年的订单需求会随着疫情的好转慢慢转为强劲，下半年也可能出现供不应求的情况。NANDFlash：因为SSD的缺货，导致大容量NandFlash近期询盘增多，但是因为大容量Nandflash单价高，流通度低，代理商很少会备货库存持续下降，供给也较为保守。受5G需求，加上各类产品搭载SSD比重与容量显著提升，终端都积极备货，均成为NandFlash需求增温的动能，今年NAND价格走势预计稳健向上，下半年也可能面临供给短缺情况。我司英尚微电子代理Cypress品牌Flas...
• 所属专栏： 谈天说地 标签： Flash存储器,Flash内存,flash行情,Cypress 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-11 15:27:00

• STT-MRMA非易失性存储器技术优点
• 到目前为止，设计人员可以使用的存储技术是易变的，这意味着在断电后，存储器中的数据内容会丢失。但是，随着EverspinTechnologies推出256MbSTT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。图1：STT-MRAMSTT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据，该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。STT-MRAM的性能类似于DRAM，但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3，它与标准JEDECDDR3非常相似。将来...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM技术 MRAM 非易失性存储器 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-17 16:38:00