• 自旋传递扭矩STT-MRAM通用存储器
• 自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读取。STT-MRAM是一种适用于未来使用超精细工艺生产的MRAM的技术，可以有效地嵌入到随后的诸如FPGA和微处理器，微控制器和片上系统（SoC）之类的半导体器件中。对于嵌入式设计人员而言，特别的好处是，STT-MRAM所需的内部电压仅为1.2V。它可以使用单个1.5...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 通用存储器,自旋传递扭矩存储器,STT-MRAM,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-19 16:41:00

• 磁阻式随机存储器MRAM基本原理
• MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ),而后者则是电荷。每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了,而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁化方向一致时,磁性隧道结的电阻最低,其状态为“0”;反之,则磁性隧道结的电阻最高,其状态为“1”最常用的MRAM单元的结构是由一个NMOS晶体管和一个MTJ(作为记忆元件)组成。MTJ与NMOS顺序连接。NMOS晶体管由字线信号控制,读取数据时,NMOS开启，位线和源线间加一小的电压差,使电流流过MTJ,其大小由MTJ的状态决定。读出放大器将该电流与参考电流比较，判断MRAM单元里...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 磁阻式随机存储器,MRAM,MRAM基本原理 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-09 16:28:00

• 铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
• 新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存FRAM存储器不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放宇CMO...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,非易失性存储器,铁电随机存储器,磁性随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-29 14:24:00

• SRAM是什么存储器
• 静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的“静态数据”，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可以恒常维持。相对性下，动态性随机存储器存储器（DRAM）里边所存储的数据信息就必须周期性地升级。殊不知，当能源供应终止时，SRAM存储的数据信息依然会消退，这与在关闭电源后还能存储材料的ROM或闪存芯片是不一样的。SRAM不用更新电源电路即能储存它內部储存的数据信息。而DRAM每过一段时间，要更新电池充电一次，不然內部的数据信息即会消退，因而SRAM具备较高的特性，可是SRAM也是有它的缺陷，即它的处理速度较低，功能损耗较DRAM大，同样容积的DRAM运行...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM存储器,静态随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-10 16:46:00

• 静态随机存储器SRAM面临两大问题挑战
• SRAM是可在任何CMOS工艺中“免费获得”的存储器。自CMOS诞生以来，SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的“深度学习领域专用域结构”（DSA），每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位。这导致了两个具体挑战。接下来由专注于代理销售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存储芯片的宇芯电子介绍关于SRAM两大问题挑战。第一个挑战是使用FinFET晶体管的最新CMOS技术使单元尺寸的效率越来越低。在图1中可以看到这一点，其中SRAM单元大小是CMOS技术节点的函数。图1：过去30年中6晶体管SRAM单元尺寸的缩小趋势。一旦FinFET晶体管成为CM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,静态随机存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-28 16:22:00

• 如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器
• 一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间数据不会丢失。SRAM是一种具有静止存取功能内存的静态随机存储器，不需要进行刷新电路便能保存它内部存储的数据。DRAM即是动态随机存储器,动态随机存储器采用动态存储单元的随机存储器，简称DRAM或是动态RAM。SRAM则不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即刻会消失，因此SRAM具有相对较高的性能，但是SRAM也有缺点，即它的集成度较低，功耗较DR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,动态随机存储器,DRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-12 14:53:00

• 静态随机存储器SRAM存储数据原理
• RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，我们可以通过这个规则来把数据存放到存储器上相应的位置，而进行这种定位的工作就要依靠地址总线来实现了。对于中央处理器来说，RAM就象是一条长长的有很多空格的细线，每个空格都有一个唯一的地址与之相对应。如果中央处理器想要从RAM中调用数据，它首先是需要给地址总线发送地址数据定位要存取的数据，然后等待若...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态随机存储器,SRAM,SRAM存储数据原理 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-21 16:19:00

• everspin非易失性存储器MR4A16B
• Everspin科技公司表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品的发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(IntegratedMagnetic)产品的领导厂商everspin科技公司16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,mram芯片,磁性随机存储器 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-17 17:33:00

• 基于90nmCMOS技术的功能齐全的64MbDDR3STT-MRAM
• 自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此，everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。已经在800MHz的全64Mb上运行了标准的内存测试，例如March6N模式，其中0失败超过105个周期。还验证了从0°C到70°C的完整功能，性能没有明显变化。这些位是具有MgO隧道势垒的磁性隧道结（MTJ）和由CoFeB基合金制成的具...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ​自旋转矩磁阻随机存取存储器,everspin 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-07 16:28:00

• 汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM
• 汽车动力总成模块使用闪存技术在断电（保持活动内存（KAM）和非易失性内存（NVM））期间保留重要的控制和诊断信息。复杂的软件必须设计为最大化这些设备的生命周期，因为它们的写入周期数量有限。MRAM（磁阻式随机存取存储器）具有消除这种复杂性的潜力，并使KAM和NVM的管理过程更轻松，更强大。板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。创建了集成了最新动力总成微控制器，everspinMRAMMRA16A（2个x16位）和MR2xH50（@SCK40MHz）芯片的原型板。汽车工业正在引入新的非易失性存储器，例如mram芯片，相控存储器（PCRAM）和RRAM。这些新的存储器在汽车改变状态条...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,随机存取存储器MRAM,汽车专用SRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-27 17:17:00