• 高耐久性CypressFRAM电池管理应用
• 电池管理系统(BMS）是一个电子控制系统，它监控并控制着电动和混合动力汽车的电池系统。该单元的主要功能是保护每块电池免受损坏，延长它们的使用寿命，并为车辆提供实时电源分配。BMS单独监控每块电池的操作参数。这些参数包括电池电压、电池电流（充电和损耗）以及电池温度。现代的锂离子电池具有较高的充电容量（电能存储）和大电流消耗（低内部电阻），但对操作控制的要求非常严格。锂离子电池失败其中一个主要原因便是过度充电或充电不足。因此对于采用锂离子电池的系统，BMS非常重要。在现代电动和混合动力汽车中，BMS与其他车辆子系统（如发动机管理系统）相连，以控制电源供应;与制动子系统相连，以再生制动;与安全子系...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Cypress FRAM,Cypress,电池管理应用,车载FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-25 11:54:00

• FRAM在智能电子式电表中的应用
• 宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表的重要组成部分。该电表周期性地捕获电力消耗和环境数据，并且在分配的时间间隙内，将数据存储到非易失性存储器中，从而可以计算和记录数据。每个周期的时间间隙结束后，智能电子式电表将信息上载到与供应基础设施相连的网络上。数据捕获周期可以从每几秒到每几毫秒变化一次。上传的信息包含周期电功率读数和可疑的物理变化，这可以表示篡改电表的尝试。智能电子式电表有助于控制漏电，并且通过管理在精细程度中记录的功耗指标（有...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,CYPRESS,智能电表FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-26 17:10:00

• 将FRAM存储器芯片集成到汽车EDR设计中
• 本篇文章宇芯电子主要介绍用FRAM替换闪存或EEPROM的情况，以及如果将FRAM器件成功集成到新的汽车EDR设计中将需要满足的要求。EDR要求：高速和高可靠性车辆EDR的基本功能要求是捕获所有指定的数据输入，从可见光和红外摄像头，雷达和LiDAR传感器等传感设备以及油门，制动踏板和方向盘等输入设备捕获。它应该在安全事件（例如与另一辆车发生碰撞）之前和期间捕获这些输入，从而使事故调查人员在发生事故之前能全面了解车辆的运动情况。这种数据捕获功能需要具有故障安全性，以确保在任何情况下都可以存储数据，包括车辆电源系统故障。数据存储功能还应该能够承受对其他车辆子系统甚至EDR本身的机械损坏。传统ED...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,FRAM存储器芯片,汽车EDR 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-12 16:33:00

• 符合汽车安全和质量标准的CYPRESSFRAM
• 汽车设计人员在设计时必须考虑质量和安全性以及性能方面的考虑。汽车行业经验丰富的供应商通常会超出性能要求，赛普拉斯FRAM器件经过AEC-Q100认证，例如最高温度达到85°C或125°C-并且还拥有所有必要的认证，例如作为TS16949，支持PPAP流程，并与特定客户保持联合资格。还必须符合ISO262626功能安全标准，因此客户希望获得详细的可靠性报告和质量文件。对于Excelon-Auto设备，及时故障率（FIT）大大低于ISO26262规范在组件级别要求的阈值。嵌入式纠错码（ECC）可确保写入和读取操作中的软错误率接近零，也远优于闪存或EEPROM器件。赛普拉斯代理宇芯电子代理FRAM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： CYPRESS FRAM,FRAM, 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-11 15:13:00

• 汽车导航系统应用富士通FRAM铁电存储器MB85R2001
• MB85R2001是一种富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术创建。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R2001中使用的存储单元可用于1010次读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。富士通的MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存储器，具有高速数据写入，低功耗和提供大量写入周期的能力。框图MB85R2001和MB85R2002FRAM芯片是汽车导航系统，多功能打印机，测量仪器和其他高级应用的理想选择，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 富士通FRAM,铁电存储器,MB85R2001,汽车导航FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-28 16:19:00

• FRAM铁电存储器在汽车应用方面的优势
• 相比于其他市场，汽车市场更为关注技术成熟度。目前FRAM在汽车行业的销售数量已超过8亿台，技术已相当成熟，汽车行业的客户完全可以对此放心无忧为什么要在汽车中使用“FRAM”?与EEPROM和FLASH非易失性内存相比，FRAM在EDR应用上有三大关键优势。对于那些有精确时间要求的应用来说，FRAM会立即具备非易失性。这些应用在系统发生故障时，最重要的数据，如数据记录器通常会面临风险。FRAM擦写周期为10E+14，而EEROM为10E+6，FLASH为10E+5，。因此FRAM是数据记录器的理想选择，其数据可持续写入。FRAM的读写操作功耗低，对于具有独立有限电源如电池或电容的应用来说，尤其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,铁电存储器,FRAM铁电存储器,汽车应用FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-22 16:04:00

• 铁电存储器FRAM的结构及特长
• 铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，是采用人工合成的铅锆钛(PZT)材料形成存储器结晶体。FRAM的结构FRAM记忆元件使用了铁电膜（Ferroelectricfilm）。富士通的FRAM里使用了PZT（锆钛酸铅）的铁电物质，其结晶结构如下图所示。图1铁电存储器的结晶结构方格中的Zr（锆）或Ti（钛）离子有两个稳定点，其性质是在外部电场作用下会改变位置（铁电性）。定位于任一...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 铁电存储器,FRAM,FRAM结构 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-07 16:13:00

• 每秒54Mb速度传输数据的富士通FRAM
• FRAM铁电随机存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电存储器。FRAM能保持数据，不仅不需要备用电池，而且在写入、读写耐久性和功耗性能方面具有相当优越性。FRAM产品可分为两个系列。分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。根据客户要求开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM内置定制LSI。富士通开发出了能够以54Mbyte/秒的速度传输数据。在QuadSPI接口非易失性RAM市场里最大容量的MB85RQ4ML4MbitFRAM。速度传输数据对比MB85RQ4...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 富士通FRAM,FRAM,FRAM铁电随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-15 14:42:00

• 富士通FRAM为无电池技术提供了解决方案
• 富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM，迄今为止已具有17年以上的量产经验。FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，以及医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。近年来，还被应用于可穿戴设备和工业机器人以及无人机中。非易失性FRAM存储器芯片，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且写入时间较通用EEPROM及闪存要短，具有写入能耗低的优点。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器DRAM和SRAM一样密集（即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据），它很可能不能取代这些技术。仅仅通过能量回收产生的微小电动势，就能将数据写入FRAM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 富士通FRAM,FRAM,无电池技术FRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-15 14:40:00

• MRAM与FRAM技术比较
• MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（WriteCycle）是在电磁隧道结（MTJ）上方和下方的导线中产生脉冲电流的结果（见图1）。图1：磁性隧道结（MTJ）电流脉冲带来的相关H场会改变自由层的极化铁磁材料。这种磁性开关不需要原子或电子的位移，这意味着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩改变了MTJ的阻抗（见图2）。图2：MRAM磁...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM技术,MRAM数据,FRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-10 16:30:00