• 非易失性存储器NV-SRAM的关键属性
• NV-SRAM具有以下优点，可以满足理想SRAM器件的要求，该器件适用于游戏应用中的非易失性缓存实施。快速访问：系统性能与所使用的高速缓存的访问速度直接相关。如果管理不当，则连接到快速控制器的慢速缓存会大大降低系统性能。因此高速缓存管理成为这种系统设计的重要方面。NV-SRAM是业界最快的非易失性RAM，对于所有读取和写入操作，提供高达20ns的访问速度。使用NV-SRAM代替慢速SRAM可以最大程度地减少缓存管理工作。可靠性：NV-SRAM中使用的SONOS技术提供了无与伦比的可靠性。在目前的非易失性RAM技术中，工业温度范围在85ºC下可保存20年的数据是最高的之一。这使NV-SRAM成...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,NV-SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-18 15:07:00

• 易失性存储DRAM详解
• DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。DRAM存储原理DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”，则电容被充电:若写入位为“0”，则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电，则该位为“1”;若电容没...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 易失性存储DRAM,易失性存储器,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-09 15:26:00

• 易失性存储器SRAM基础知识
• 存储器概况存储器是计算机系统中的记忆设备，主要是用来存放程序和数据。存储器按存储特性可分为非易失和易失两大类。目前常见的多为半导体存储器。非易失性存储器非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。常见的设备如电脑硬盘、TF卡、SD卡、U盘等。易失性存储器易失存储器是指在系统停止供电的时候数据丢失。常见的设备如电脑内存、高速缓存、显示器显存等。易失性存储器-RAM易失性存储器主要是指随机访问存储器RAM。RAM是计算机中用来存放数据、程序及运算结果，直接与CPU进行信息交换的场所。易失性存储器按存储电路的性质，可分为静态随机存取存器SRAM和动态随机存取储存器DRAM。易失性存储器-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 易失性存储器,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-04 17:03:00

• 几种非易失性存储器的比较
• SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源（如电池）供电时，他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的非易失性存储器存储技术的优缺点。表1非易失性存储器比较NVSRAM中的电池对于数据保存来说至关重要。电池的不良接触会极大地影响电池寿命。其他因素，如震动、湿度以及内置的电池切换电路都会缩短电池的使用寿命，同时也会影响系统的整体可靠性。这些问题带来的最直接的后果是∶终端客户更换电池的时间间隔更短了，例如每年就需要更换一次，而不是5~10年一次。NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据，而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,SRAM,NV-SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-23 14:40:00

• 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
• 一种称为UniversalSelector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-10 16:27:00

• FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
• FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。注意：在写/...
• 所属专栏： 技术交流 标签： FRAM,EEPROM,SRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-09 14:39:00

• 使用NVRAM的简单解决方案
• 许多供应商提供专为NVRAM使用的现成文件系统软件。除非要求某些专门功能，否则开发人员自行设计在经济上会所产生的问题。数据结构的存储主要是针对特定应用程序的，因此将进一步解决。本文芯片存储器供应商宇芯电子介绍关于使用NVRAM的简单解决方案。非易失性使用普通的易失RAM很简单。上电时必须将其初始化为一个已知值，然后可以根据需要对其进行写入和读取。借助NV-SRAM，面临两个新挑战：•开机时，软件需要识别NVRAM是否已初始化，如果尚未初始化，请执行该初始化。•数据的完整性，尤其是断电一段时间后，需要进行验证。NVRAM初始化首次启动NVRAM时，就像普通RAM一样，它包含不确定的数据，需要初...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NVRAM,非易失性存储器,NV-SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-14 16:08:00

• 非易失性存储器平衡方法
• 非易失性存储器在高级节点上变得越来越复杂，在高级节点上的价格和速度，功率和利用率正在成为一些非常特定于应用程序的折衷，以决定该存储器的放置位置。NVM可以嵌入到芯片中，也可以使用各种类型的互连技术将其移出芯片。但是这个决定比它最初看起来要复杂得多。它取决于过程节点和电压，NVM的类型以及其中存储的内容以及整个芯片或系统的预算。性能最高的处理器使用的工艺几何尺寸最小，这反过来将对NVM提出最高要求。NVM面临的一些挑战是在较小的几何尺寸上扩展容量的相对困难，以及需要实施更高的电压来对单元进行编程。在更精细的工艺几何尺寸下，可能需要更多的裸片面积来支持额外的处理核心所需的容量，并且可能需要额外的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,SRAM,NVM,MCU 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-11 15:49:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00

• 不同类别存储器基本原理
• 存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用，并且在一个指令周期期间是可直接访问的。外存储器要求计算机从一个外贮藏装置例如磁带或磁盘中读取信息。存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAMcell结构由1个MOS和1个电容组成，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,DRAM,Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-19 15:47:00