IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或处于低电平时，CS2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过CMOS输入电平来降低功耗。

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC标准的48引脚BGA（6mmx8mm）封装。ISSI代理商宇芯支持供样及产品技术解决方案.

功能说明

SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址可以随机访问。SRAM存储器支持三种不同的模式.

待机模式

取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I/O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。

写模式

选择芯片时（LOW和CS2HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I/O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW来自I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据被写入该位置。

在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据被写入该位置。

读取模式

选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I/O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I/O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I/O8-15上。

在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下的内部设备作为READ操作，但I/O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式状态，因此使用有功电流。

IS62-65WV102416EALL-BLL.pdf 

待机模式

取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I/O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。