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外扩SRAM ISSI代理商IS62WV102416EBLL

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发表于2020-06-15 16:01:06 | 只看该作者
1# 电梯直达

IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM,以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平(取消选择)或CS2为低电平(取消选择)或处于低电平时,CS2均为高电平且两者均为高电平时,器件假定在待机模式下,可以通过CMOS输入电平来降低功耗。


使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(低写使能)控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC标准的48引脚BGA(6mmx8mm)封装。ISSI代理商宇芯支持供样及产品技术解决方案.


功能说明


SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址可以随机访问。SRAM存储器支持三种不同的模式.


待机模式

取消选择时,设备进入待机模式(HIGH或CS2LOW或两者都为HIGH)。输入和输出引脚(I/O0-15)处于高阻抗状态。根据输入电平,此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。


写模式

选择芯片时(LOW和CS2HIGH),写使能()输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚(I/O0-15)处于数据输入模式。即使为LOW,在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW来自I/O引脚(I/O0至I/O7)的数据被写入该位置。

在地址引脚上指定。处于低电平时,来自I/O引脚(I/O8至I/O15)的数据被写入该位置。


读取模式

选择芯片时(LOW和CS2为HIGH),写使能()输入为HIGH时,读操作出现问题。当为低电平时,输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I/O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW,来自存储器的数据出现在I/O0-7上。处于低电平时,来自内存的数据将出现在I/O8-15上。


在读取模式下,可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下的内部设备作为READ操作,但I/O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式状态,因此使用有功电流。

IS62-65WV102416EALL-BLL.pdf 


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发表于2020-06-15 16:01:40   |  只看该作者
2#
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM,以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可以生产出高性能和低功耗的存储器件

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发表于2020-06-15 16:02:07   |  只看该作者
3#
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(低写使能)控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC标准的48引脚BGA(6mmx8mm)封装。ISSI代理商宇芯支持供样及产品技术解决方案.

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发表于2020-06-15 16:02:32   |  只看该作者
4#
SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址可以随机访问。SRAM存储器支持三种不同的模式.

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发表于2020-06-15 16:03:49   |  只看该作者
5#

待机模式

取消选择时,设备进入待机模式(HIGH或CS2LOW或两者都为HIGH)。输入和输出引脚(I/O0-15)处于高阻抗状态。根据输入电平,此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。


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