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FDD390N15ALZ N-CH 150V26A 42mΩ 消费型设备 场效应MOSFE...

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发表于2021-11-02 18:36:09 | 显示全部楼层
1# 电梯直达

FDD390N15ALZ: N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,26A,42mΩ

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

特性

- RDS(on) = 33.4mΩ(典型值)@ VGS = 10V, ID = 26A

- RDS(on) = 42.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 4.5V, ID = 20A

- 快速开关速度

- 低栅极电荷,QG = 17.6nC(典型值)@ VGS = 10V

- 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)

- 高功率和高电流处理能力

- 符合 RoHS 标准应用LED 电视消费型设备

 

应用

LED 电视

消费型设备


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