• MOS在机器人电路中的关键作用
• MOS在机器人电路中的一个主要作用是作为放大器。机器人的传感器系统需要将微弱的信号放大以便进行精确的测量和检测。MOS放大器通过调节输入信号的电压，可以在不失真的情况下放大信号，从而提高传感器系统的灵敏度和准确性。这对于机器人在各种环境和任务中的感知能力至关重要，例如在复杂的制造过程中或在不可预测的场景中执行任务。MOS在机器人电路中扮演着关键的开关角色。作为开关，MOS可以在不同的电压和电流条件下控制电路的通断，从而实现对机器人系统的精确控制。这种精确的控制能力使得机器人能够执行精细的动作和复杂的任务，例如在医疗手术中进行精确的操作或在危险环境中执行高风险的任务。MOS的高度可控性使得机器...
• 所属专栏： 器件替换 标签： MOS管，场效应管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-12-14 09:46:00

• AP15N06NMOSSOT89-3L电池保护MOS管n沟道增强型mos场效应管
• SuperLowGateChargeGreenDeviceAvailableExcellentCdv/dteffectdeclineAdvancedhighcelldensityTrenchtechnologyDescriptionThe15N06isthehighestperformancetrenchN-chMOSFETswithextremehighcelldensity,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.ThemeettheRoHSandGre...
• 所属专栏： 供应商专区 标签： MOS管 场效应管 发帖人：LEDIC 发帖时间：2023-05-23 15:51:00

• 美国ONSEMI安森美FPF2495C负载开关可调节电流限制控制
• FPF2495C先进负载管理开关适用于需要高度集成解决方案的应用。它会通过严格的关断状态电流目标值和高负载电容(<100µF)断开从直流电源轨(<6V)供电的负载。FPF2495C包括一个摆率控制的低阻抗MOSFET开关（典型值为100mΩ），具有集成的模拟特性。摆率控制开启特性可防止涌入电流以及在电源轨上产生过大的电压降。FPF2495C具有过电压保护和高温保护。
• 所属专栏： 技术交流 标签： 安森美 FPF2495C ONSEMI开关 美国安森美 发帖人：捷比信实业 发帖时间：2022-09-27 10:03:00

• CAT24C64WI-GT3串行EEPROM器件
• CAT24C64是一款64-kbCMOS串行EEPROM器件，内部组织为8192个词，每个词8位。它具有32字节页写入缓存，支持标准(100kHz)、快速(400kHz)和快速(1MHz)I2C协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置八个CAT24C512器件。应用：DVD播放器、笔记本电脑、打印机、智能手机、电视、电信关键词：通信IC芯片,贴片通信IC,通信集成IC
• 所属专栏： 器件替换 标签： 安森美IC ONSEMI芯片 美国安森美 发帖人：捷比信实业 发帖时间：2022-09-27 09:52:00

• ESD9B3.3ST5G电容值低双向ESD保护TVS二极管便携式电子产品解决方案
• ESD9B3.3ST5G是一款双向ESD保护TVS二极管，设计用于保护电压敏感型来自ESD的组件。良好的夹紧能力，低泄漏，而且，快速响应时间可为设计提供一流的保护：暴露在静电放电下。反应速度快，电容值低，体积小，集成度高，封装多样化，漏电流低，电压值低有助于保护敏感的电子电路。ESD9B3.3ST5GESD静电保护二极管应用于手机和配件、便携式电子产品、工业控制设备、机顶盒、电子仪器仪表、服务器，笔记本电脑和台式机、显示端口等。特性：•低电容15pF•低箝位电压•小型车身外形尺寸：0.039〃x0.024〃（1.0mmx0.60mm）•低车身高度：0.016英寸（0.4毫米）•站立−关断电压...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 体积小 反应速度快 ON安森美二极管系列 发帖人：TR8808 发帖时间：2021-12-04 16:09:00

• NCV8460ADR2G自保护负载驱动器集中式及分散式车门控制模块方案
• 随着汽车电子的不断发展，使得汽车的操控性、安全性、舒适性大大提高。然而随着汽车电子设备的不断增多，汽车系统设计复杂度也在不断提升。以车门控制系统为例，车窗升降、车门开关、后视镜折叠、水平与上下调节、电加热、转向灯、照地灯、安全灯、控制面板背景灯、按键、高级配置中的后视镜电防眩目等，功能要求越来越多，设计越来越复杂。为应对日趋复杂的汽车车门控制设计，安森美NCV8460ADR2G提供了丰富的器件选型及系统解决方案。
• 所属专栏： 技术交流 标签： NCV8460ADR2G ON安森美 发帖人：Hany 发帖时间：2021-11-24 11:26:00

• FDD390N15ALZN-CH150V26A42mΩ消费型设备场效应MOSFET
• FDD390N15ALZ:N沟道，PowerTrench®MOSFET，150V，26A，42mΩ此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench®工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。特性-RDS(on)=33.4mΩ（典型值）@VGS=10V,ID=26A-RDS(on)=42.2mΩ(Typ.)@VGS=4.5V,ID=20A-快速开关速度-低栅极电荷，QG=17.6nC（典型值）@VGS=10V-高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)-高功率和高电流处理能力-符合RoHS标准应用LED电视消费型设备应用LED电视消费型设备
• 所属专栏： 技术交流 标签： 150V26A场效应管、ON安森美 发帖人：TR8808 发帖时间：2021-11-02 18:36:00

• 30V30ATO-252充电器贴片MOS管
• 图片
• 所属专栏： 供应商专区 标签： MOS管 场效应管 30vmos 发帖人：用芯出发3 发帖时间：2021-03-08 16:48:00

• IGBT场效应管的工作原理及检测方法
•   IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高（10-40kHz）等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。  1.IGBT的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： IGBT 场效应管 发帖人：元器件小白 发帖时间：2020-05-07 11:34:00

• 安森美（ON）MOS管NTMFS5C628NLT1G
• QQ747147381
• 所属专栏： 二手交易 标签： 安森美 ON MOS管 NTMFS5C628NLT1G 发帖人：Q747147381 发帖时间：2018-11-08 23:10:00