FDD390N15ALZ: N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，26A，42mΩ

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

特性

- RDS(on) = 33.4mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 26A

- RDS(on) = 42.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 4.5V, ID = 20A

- 快速开关速度

- 低栅极电荷，QG = 17.6nC（典型值）@ VGS = 10V

- 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)

- 高功率和高电流处理能力

- 符合 RoHS 标准应用LED 电视消费型设备

应用

LED 电视

消费型设备