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ISSI具有纠错功能的Async SRAM
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发表于2020-05-27 15:57:12
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电梯直达
近年来,对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车,通信和数字消费,工业及医疗市场。这些产品需要增加内存容量,以帮助处理大量数据。ISSI为汽车,通信,数字消费者以及工业和医疗提供了高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。 ISSI代理商IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有纠错(ECC)功能的异步静态随机存储器(Async SRAM),该器件内置独立的ECC单元,极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平。
产品主要特性: ●每-字节都带有独立的纠错单元; . ●纠错单元可以侦测到数据错误,組为悔一字节纠正- 比特的错误,大幅度降低SER,提升可靠性; ●可直接替代现有的无ECC功能的标准SRAM器件,客户不必更改原有的电路板设计即可使用以提高系统可靠性。 ●最快存取时间可达到8ns ●温度范围可达-40°C到+125C 带有ECC纠错功能的异步SRAM可以在芯片内部侦测并纠正数据错误,最大限度地提高了数据的可靠性。相较于传统ECC电路设计方法,该器件所有校验及纠错动作在片内完成,无需另外的错误校正芯片,从而简化.了硬件线路及软件算法设计,同时节省电路板空间。该器件可满足不同应用对数据完整性的严苛要求,广泛适用于汽车,医疗,工控及通讯领域。 |
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发表于2020-05-27 15:58:29
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发表于2020-05-27 15:59:07
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发表于2020-05-27 15:59:54
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ISSI代理商IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有纠错(ECC)功能的异步静态随机存储器(Async SRAM),该器件内置独立的ECC单元,极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平
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