ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺再加上创新的电路设计技术，生产出高性能优质和低功耗的设备。

当为高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）时，器件将会进入待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV20488EALL均采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装。ISSI代理商宇芯电子可提供样品及技术支持.

框图

特征

高速访问时间：45ns，55ns

·CMOS低功耗操作

– 30 mW（典型值）运行

– 12 µW（典型值）CMOS待机

·TTL兼容接口级别

·单电源

–1.65V–1.98V Vdd（62 / 65WV20488EALL）

– 2.2V--3.6V Vdd（62 / 65WV20488EBLL）

·完全静态操作：无需时钟或刷新

·工业（-40oC至+ 85oC）和汽车（-40oC至+ 125oC）温度支持

62-65WV20488EALL-BLL.pdf 

工作温度范围

特征

高速访问时间：45ns，55ns

·CMOS低功耗操作

– 30 mW（典型值）运行

– 12 µW（典型值）CMOS待机

·TTL兼容接口级别

·单电源

–1.65V–1.98V Vdd（62 / 65WV20488EALL）

– 2.2V--3.6V Vdd（62 / 65WV20488EBLL）

·完全静态操作：无需时钟或刷新

·工业（-40oC至+ 85oC）和汽车（-40oC至+ 125oC）温度支持