• ISSI汽车异步SRAM
• ISSI自1999年以来，就一直为汽车市场提供支持。并在2001年ISSI成立了汽车业务部门，开始扩大对市场的支持。该业务部门的目的是在ISSI中提供跨职能部门的支持，以从产品规划阶段到新产品生产阶段不断增强汽车基础设施。通过SRAM芯片，DRAM和Flash产品系列来实现这一目标。从开始到生产，汽车市场的设计周期可能为3-4年。然后生产将再运行5-6年。后期支持的需求已经存在了数年。ISSI致力于为客户提供汽车生产计划阶段所需的长期支持。ISSI与客户合作以支持三种不同等级的汽车异步SRAM产品。它们是-40C至+85C，-40C至+105C和-40C至+125C。ISSI设计的产品可以在...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ISSI,汽车异步SRAM,SRAM,异步SRAM,ISSI代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-20 17:12:00

• 双端口SRAM中读干扰问题
• 普通的存储器器件为单端口，也就是数据的输入输出只利用一个端口，设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram，但双端口sram已经非常不错了。双端口sram经常应用于cpu与其周边控制器等类似需要直接访问存储器或者需要随机访问缓冲器之类的器件之间进行通信的情况。下面专注于代理销售sram芯片,PSRAM等存储芯片供应商介绍关于双端口SRAM中读干扰问题。从存储单元来看，双端口SRAM只是在单端口SRAM的基础上加上了两个存取管（见图1），但要实现两个端口对存储单元的独立读写，还要对新增的端口复制一套单端口SRAM的读写外围电路。然而这样虽然增强了存储器的读写能...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,双端口SRAM,SRAM芯片 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-23 14:00:00

• 单端口SRAM与双端口SRAM电路结构
• SRAM是随机存取存储器的一种。所谓的静态是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,因此SRAM具有较高的性能.宇芯电子专注提供SRAM芯片,国产SRAM,进口SRAM（ISSI、VTI、JSC、）SRAM的速度快但价格相对昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(异步SRAM）、SyncSRAM(同步高速SRAM）、PBSRAM(流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。不管是哪种SRAM，其基本的原理大都是通过两个首尾...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 单端口SRAM,双端口SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-09 14:52:00

• IS61WV10248EDBLL高速异步SRAM
• 美国ISSI存储器公司的主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。该公司还设计和销售NOR闪存存储器产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。近年来对复杂半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费以及工业和医疗市场。这些存储产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。ISSI代理商宇芯电子为广大用户提供解决方案及技术方面支持。接下来介绍一款ISSI具有ECC的1Mx8高速异步SRAM的一些特征方面知识.ISSIIS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速异步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： IS61WV10248EDBLL,异步SRAM,SRAM,ISSI代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-08 16:08:00

• 双端口SRAM如何提高系统的整体性能
• SRAM以其高速、静态的优点广泛应用于各种数字设备中，多被用作不同部件之间的缓冲，尤其在计算机体系架构中扮演着重要的角色，即嵌入到CPU内部的高速缓存（Cache）。计算机的处理速度在高速增长，为了提供足够的数据缓存能力，随着集成电路制造工艺的发展，嵌入式SRAM的存储单元的面积也在以约0.5倍每代的速度减小，在45nm工艺节点嵌入式SRAM的密度已可以达到150Mb/cm2。双端口SRAM（Dual-PortSRAM,DP-SRAM）凭借其两个端口可以同时进行读写的能力在SRAM领域占有重要的一席之地，尤其在多核、实时信号处理系统中有着广泛的应用。由于功耗的限制，片上系统（Systemon...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 双端口SRAM,SRAM,单端口SRAM,嵌入式SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-06 16:31:00

• 串口SRAM和并口SRAM的引脚区别
• 首先来看一下并口和串口的区别：引脚的区别：串口SRAM（或其它存储器）通常有如下的示意图：串口SRAM引脚引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个，一般遵循SPI协议，并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是串口协议的。并口的SRAM通常有如下的示意图：并口SRAM引脚引脚密密麻麻接近50个，包含地址、IO、使能信号、电源等。其中地址通常和容量有关系，这里是1Mb的容量，地址有16个（A15-A0）;其中IO通常是8的倍数，这里是16个（IO15-IO0）;使能信号CE#，WE#，OE#，BHE...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 串口SRAM,并口SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-17 16:30:00

• 外扩SRAMISSI代理商IS62WV102416EBLL
• IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或处于低电平时，CS2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过CMOS输入电平来降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC标准的48引脚BGA（6mmx8mm）封装。ISSI代理商宇芯支持供样及产...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 外扩SRAM,ISSI代理商,IS62WV102416EBLL,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-15 16:01:00

• ISSIIS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM
• ISSIIS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺再加上创新的电路设计技术，生产出高性能优质和低功耗的设备。当为高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）时，器件将会进入待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV20488EALL均采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。ISSI代理商宇芯电...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 并口SRAM,IS62WV20488EALL,ISSI,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-01 15:22:00

• ISSI具有纠错功能的AsyncSRAM
• 近年来，对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费，工业及医疗市场。这些产品需要增加内存容量，以帮助处理大量数据。ISSI为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗提供了高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。ISSI代理商IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有纠错(ECC)功能的异步静态随机存储器(AsyncSRAM),该器件内置独立的ECC单元，极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平。产品主要特性:●每-字节都带有独立的纠错单元;.●纠错单元可以侦测到数据错误，組为悔一字节纠正-比特的错误...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM,低功耗sram,高速sram,同步SRAM,ISSI 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-27 15:57:00

• SRAM芯片is62wv51216
• ISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。IS62WV51216A...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM芯片 s62wv51216 SRAM芯片 ISSI代理 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-17 14:48:00