• 非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
• 在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构和用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,Flash,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-29 14:38:00

• 非易失性存储器EEPROM
• 非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存储原理EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是通过高于普通电压的作用来擦除和重编程;且可以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入。但由于EEPROM的存储容量一般不大，因此主要应用在小存储数据的场合，比如电脑的BIOSROM芯片和配置信息存储等。EEPROM选型EEPROM特点EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-11 15:10:00

• 易失性存储DRAM详解
• DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。DRAM存储原理DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”，则电容被充电:若写入位为“0”，则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电，则该位为“1”;若电容没...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 易失性存储DRAM,易失性存储器,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-09 15:26:00

• 易失性存储器SRAM基础知识
• 存储器概况存储器是计算机系统中的记忆设备，主要是用来存放程序和数据。存储器按存储特性可分为非易失和易失两大类。目前常见的多为半导体存储器。非易失性存储器非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。常见的设备如电脑硬盘、TF卡、SD卡、U盘等。易失性存储器易失存储器是指在系统停止供电的时候数据丢失。常见的设备如电脑内存、高速缓存、显示器显存等。易失性存储器-RAM易失性存储器主要是指随机访问存储器RAM。RAM是计算机中用来存放数据、程序及运算结果，直接与CPU进行信息交换的场所。易失性存储器按存储电路的性质，可分为静态随机存取存器SRAM和动态随机存取储存器DRAM。易失性存储器-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 易失性存储器,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-04 17:03:00

• 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
• 一种称为UniversalSelector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-10 16:27:00

• 非易失性存储器MRAM技术介绍
• MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁层﹑薄绝缘隧道隔离层和自由磁层组成。当向MTJ施加偏压时，被磁层极化的电子会通过一个称为“穿遂”的过程，穿透绝缘隔离层。当自由层的磁矩与固定层平行时，MTJ结构具有低电阻;而当自由层的磁矩方向与固定层反向平行(anti-parallel)时，则具有高电阻。随着设备磁性状态的改变,电阻也会变化，这种...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-21 13:52:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00

• 不同类别存储器基本原理
• 存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用，并且在一个指令周期期间是可直接访问的。外存储器要求计算机从一个外贮藏装置例如磁带或磁盘中读取信息。存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAMcell结构由1个MOS和1个电容组成，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,DRAM,Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-19 15:47:00

• ​​everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途
• everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态，因此与现有的非易失性存储器相比，它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比，MRAM的优势在于：•像不挥发一样闪烁•无编程/擦除周期（最快的写入周期）•快速的SRAM接口•对称的读/写周期•字节寻址能力•并行（x16）接口的35ns/2Bytes•带有串行接口的0.4us/2bytes（使用工作在40MHz的SPI接口）•无限...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​​everspin,非易失性存储器,MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-31 14:32:00

• EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
• 相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存储技术，从20世纪90年代开始发展。该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力，快闪存储器的非易失性、容量密度和与DRAM几乎相同的使用寿命，但平均能耗却远低于DRAM，而且可以无限次地重复写入。...
• 所属专栏： 电子入门基础知识 标签： EVERSPIN 非易失性存储器 MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-20 17:24:00